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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTD5806NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5806NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5806NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5807NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862N-1GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862N-1GON Semiconductor
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862NT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
auf Bestellung 14208 Stücke:
Lieferzeit 314-318 Tag (e)
1+4 EUR
10+3.61 EUR
100+2.89 EUR
500+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862NT4GonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862NT4GOn SemiconductorMOSFET N-CH 60V 98A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
108+2 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5862NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
74+3.15 EUR
108+2 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NL-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.09 EUR
5000+1.01 EUR
12500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4G
Produktcode: 178182
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.8 EUR
104+1.62 EUR
123+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
7500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4GonsemiMOSFETs Single N-CH 60V 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4GTECH PUBLICN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C; NTD5865NLT4G TNTD5865nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5865NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLonsemi NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NL-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 29374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
110+2.12 EUR
166+1.3 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 675 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 39100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GTECH PUBLICTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 29549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.57 EUR
110+2.12 EUR
166+1.3 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GOn SemiconductorDPAK 4/Power MOSFET 60V 19A 39mOhm Single N-Channel DPAK Logic Level Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 39100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4G
Produktcode: 172926
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 33 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 675/15
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.37 EUR
10+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GonsemiMOSFETs NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.12 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
2500+0.86 EUR
10000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5867NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C434NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C434NT4GonsemiMOSFET T6 40V SL IN DPAK
auf Bestellung 2248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C446NT4GonsemiRF Amplifier lo Noise amp SMT, 3.5 - 7.0 GHz
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+191.24 EUR
10+181.38 EUR
50+176.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C446NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C446NT4GonsemiDescription: NTD5C446 - SINGLE N-CHANNEL POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 240687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
178+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C464NT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V SL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C632NLT4GonsemiDescription: T6 60V LL DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.46 EUR
100+1.73 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C632NLT4GonsemiMOSFETs Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 155A, 2.5mohm
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+2.31 EUR
100+1.75 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.05 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C632NLT4GonsemiDescription: T6 60V LL DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C632NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
118+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C632NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
80+2.93 EUR
118+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C632NLT4GONN
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C648NLonsemionsemi T6 60V LL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C648NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+4.33 EUR
1000+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C648NLT4GON SemiconductorNTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.45 EUR
35+4.81 EUR
100+4.2 EUR
250+4.12 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C648NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL DPAK
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C648NLT4GON SemiconductorNTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.45 EUR
35+4.63 EUR
100+3.97 EUR
250+3.8 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C648NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.07 EUR
34+6.94 EUR
100+4.97 EUR
500+4.33 EUR
1000+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C648NLT4GON SemiconductorNTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+4.24 EUR
5000+4.05 EUR
10000+3.86 EUR
25000+3.67 EUR
30000+3.49 EUR
50000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C668NLonsemi T6 60V LL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C668NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/48A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.31 EUR
100+2.38 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C668NLT4GON Semiconductor
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C668NLT4GonsemiMOSFET T6 60V LL DPAK
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+4.46 EUR
25+4.21 EUR
100+3.61 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.45 EUR
2500+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C668NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/48A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C688NLT4GONN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5C688NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5N50onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
701+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5N50-001onsemiDescription: NFET DPAK 500V 1.8R
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5N50-001-MOMotorolaDescription: NFET DPAK 500V 1.8R
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5N50T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5N50T4 - 5A, 500V, 1.7OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5N50T4onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 888 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5N50T4GON09+ TO252
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6-34-33MDescription: NOTED BY POST-IT, TODAYS TOP THR
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6-36-23MDescription: NOTED BY POST-IT, LIGHT GREEN "M
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD600N80S3ZonsemiDescription: MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
auf Bestellung 9285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+3.31 EUR
100+2.65 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD600N80S3ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD600N80S3ZonsemiDescription: MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD600N80S3ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.38 EUR
53+4.43 EUR
100+2.84 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD600N80S3ZonsemiMOSFETs SF3 800V 600MOHM DPAK
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+3.52 EUR
100+2.62 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60H02RT4
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RON07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RonsemiMOSFET 25V 62A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD60N02R-001 - NTD60N02R-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 152772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2700+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-001ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-001onsemiMOSFET 25V 62A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 62A IPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 152772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1514+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1514 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-001GonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-032ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-032GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-035onsemiMOSFET 25V 62A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-035onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
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NTD60N02R-1onsemiMOSFET
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NTD60N02R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
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