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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.14 EUR
250+1.07 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
162+1.44 EUR
228+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
auf Bestellung 5939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 2.5A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.12 EUR
250+1.06 EUR
500+1 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
125+1.86 EUR
169+1.27 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 2.5A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANSISTOR
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.88 EUR
100+1.46 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.06 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
125+1.86 EUR
169+1.27 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
128+1.68 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
10+2.5 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.64 EUR
110+1.55 EUR
250+1.45 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.11 EUR
10+2.26 EUR
100+1.67 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATL
Produktcode: 172762
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
83+2.81 EUR
128+1.68 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.87 EUR
200+0.86 EUR
207+0.81 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.65 EUR
282+0.61 EUR
283+0.58 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.46 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.68 EUR
274+0.62 EUR
275+0.61 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
153+1.52 EUR
216+0.99 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
153+1.52 EUR
216+0.99 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
7500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
auf Bestellung 6033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.58 EUR
310+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3FRAT
Produktcode: 176445
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.62 EUR
250+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.69 EUR
95+1.8 EUR
124+1.34 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W TO-252(DPAK)
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.67 EUR
100+1.82 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.25 EUR
5000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
118+1.83 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.61 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.06 EUR
200+1.78 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.25 EUR
79+2.95 EUR
118+1.83 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W Pwr trnstr Low VCE
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.71 EUR
144+1.18 EUR
205+0.81 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 10W; DPAK,TO252
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 10W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 180...450
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Frequency: 320MHz
Collector current: 3A
Mounting: SMD
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.69 EUR
110+0.77 EUR
141+0.61 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.98 EUR
200+1.26 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.58 EUR
310+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.58 EUR
310+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR573DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.61 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 280MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
74+3.15 EUR
108+1.99 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.73 EUR
105+1.62 EUR
250+1.52 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W TO-252(DPAK)
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.4 EUR
100+1.77 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.25 EUR
5000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
108+1.99 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
134+1.74 EUR
203+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.68 EUR
274+0.62 EUR
275+0.61 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.45 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 5614 Stücke:
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8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
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1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE
auf Bestellung 2918 Stücke:
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2+2.23 EUR
10+1.26 EUR
100+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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107+1.62 EUR
164+1.04 EUR
220+0.76 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
134+1.74 EUR
203+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2019 Stücke:
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216+0.8 EUR
250+0.75 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 280MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574DGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR574DGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.93 EUR
150+1.56 EUR
222+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574DGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574DGTLRohmTRANS NPN 80V 2A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574DGTL
Produktcode: 129907
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574DGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR574DGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
150+1.56 EUR
222+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574DGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2A CPT3
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574DGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT I2C BUS 4Kbit EEPROM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR574DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
602+0.29 EUR
607+0.27 EUR
630+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3FRATLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2SCR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive.
auf Bestellung 2032 Stücke:
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1+3.5 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
20+1.08 EUR
25+0.98 EUR
100+0.86 EUR
250+0.8 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3FRATLQROHMDescription: ROHM - 2SCR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+3.97 EUR
130+1.78 EUR
185+1.17 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3FRATLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2SCR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3TLQROHMDescription: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
107+2.18 EUR
160+1.34 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorDescription: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
20+1.08 EUR
25+0.98 EUR
100+0.86 EUR
250+0.8 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR579D3TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
87+2.67 EUR
132+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.3 EUR
107+1.56 EUR
110+1.45 EUR
111+1.38 EUR
150+0.99 EUR
250+0.89 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR582D3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 10A
Power dissipation: 10W
Case: TO252
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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