Produkte > 2SC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| 2SCR572DGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 5100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3FRAT Produktcode: 176445
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SCR573D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A TO-252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR573D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W TO-252(DPAK) | auf Bestellung 1851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR573D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A TO-252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR573D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR573D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W Pwr trnstr Low VCE | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR573D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Power dissipation: 10W Collector current: 3A Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 180...450 Frequency: 320MHz Polarisation: bipolar | auf Bestellung 582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573DGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 2061 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573DGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR573DGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 3700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574D3FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 280MHz Case: DPAK; TO252 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 2A Power dissipation: 10W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 120...390 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR574D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR574D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1087 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W TO-252(DPAK) | auf Bestellung 1143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR574D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE | auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR574D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 5614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR574D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2019 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574D3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 280MHz Case: DPAK; TO252 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 2A Power dissipation: 10W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 120...390 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574DGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 1356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574DGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2A CPT3 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: CPT3 Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR574DGTL Produktcode: 129907
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SCR574DGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR574DGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR574DGTL | Rohm | TRANS NPN 80V 2A Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR574DGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT I2C BUS 4Kbit EEPROM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR574DGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: CPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR574DGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR574DGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR579D3FRATLQ | Rohm Semiconductor | Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 101MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR579D3FRATLQ | ROHM | Description: ROHM - 2SCR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 101MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR579D3FRATLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR579D3FRATLQ | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 2SCR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive. | auf Bestellung 2202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR579D3FRATLQ | Rohm Semiconductor | Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 101MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR579D3FRATLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR579D3TLQ | Rohm Semiconductor | Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 101MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 2442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR579D3TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR579D3TLQ | Rohm Semiconductor | Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 101MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR579D3TLQ | ROHM | Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 101MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR579D3TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR579D3TLQ | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 2SCR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor for Automotive | auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR582D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 10W Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor | auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 5717 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR583D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A NPN PWR TRANS | auf Bestellung 4816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm | TRANS NPN 50V 7A TO252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR583D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power Transistor | auf Bestellung 2181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 2621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR583D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W TO-252(DPAK) | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 69 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR586D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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