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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9331TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.69 EUR
231+1 EUR
282+0.76 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.6 EUR
303+0.57 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.49 EUR
8000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9391TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V SGL P-CH HEXFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9391TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM9391TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHP8321TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHP8334TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TR2
Produktcode: 99499
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 8,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 653/4,3
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
1+0.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 177700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1735+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
100000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1735 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+1.23 EUR
229+0.75 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.8 EUR
100+0.57 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.36 EUR
4000+0.32 EUR
8000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1735+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1735 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1736+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1735+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1735 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1736+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TR2
Produktcode: 99500
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN2*2
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 16 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/4,2
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
1+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-6
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF
Produktcode: 180301
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC
auf Bestellung 3417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.89 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.37 EUR
4000+0.33 EUR
8000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.5 EUR
348+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBFTRInfineon TechnologiesDescription: IRFHS8342 - 20V-100V N-CHANNEL S
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301Infineon TechnologiesInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.06 EUR
230+0.75 EUR
290+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.4 EUR
8000+0.38 EUR
12000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 27455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
284+0.76 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
auf Bestellung 22252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
23+0.92 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC
auf Bestellung 28042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.83 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 27455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
284+0.76 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.37 EUR
8000+0.36 EUR
12000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.4 EUR
8000+0.39 EUR
12000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TR2PBF
Produktcode: 57893
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1430+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.39 EUR
8000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.58 EUR
200+0.99 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 10667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1430+0.45 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
auf Bestellung 6267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.84 EUR
10+1.13 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.42 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
438+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NInternational RectifierN-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFI1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 49
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1010NPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NInternational RectifierN-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 22A 36mOhm 80nC
auf Bestellung 4975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.26 EUR
100+1.86 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 9087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.36 EUR
131+1.32 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.06 EUR
4000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.56 EUR
120+1.44 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 17875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.37 EUR
131+1.32 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.06 EUR
4000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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112+1.56 EUR
119+1.44 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.19 EUR
4000+1.13 EUR
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IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 3603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
50+2.76 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.83 EUR
2000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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131+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.18 EUR
4000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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IRFI1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFI1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1133 Stücke:
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43+5.88 EUR
91+2.57 EUR
100+2.2 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRFI1310NPBF
Produktcode: 182563
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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244+2.14 EUR
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IRFI1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 45W
Gate charge: 80nC
auf Bestellung 96 Stücke:
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44+1.94 EUR
48+1.81 EUR
50+1.74 EUR
52+1.67 EUR
58+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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