Produkte > irf

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFI7440GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+1.73 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7440GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7440GPBFInternational RectifierDescription: IRFI7440 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4549 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7440GPBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3199 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBF
Produktcode: 172384
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI7446GPBF - IRFI7446GP 12V-300V N-CHANNEL POWER MOS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3199 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
338+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI744GN-CH 450 V 4.9 A 0.63 A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI744GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI744GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI744GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
154+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI7536GPBF - IRFI7536 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.21 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.58 EUR
50+3.51 EUR
100+2.78 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
auf Bestellung 3426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.18 EUR
1000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
100+2.34 EUR
102+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830BTUFairchild SemiconductorIRFI830BTU
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
918+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 918 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830G
Produktcode: 77935
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 3,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 610/38
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2 EUR
10+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GN-CH 500 V 3.1 A 1.5 Om to-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GSiliconixN-MOSFET 500V 3.1A 35W IRFI830G Vishay TIRFI830g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.14 EUR
63+2.76 EUR
100+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI830GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.1 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
67+3.47 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.61 EUR
119+1.44 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 35W
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.87 EUR
108+1.56 EUR
119+1.37 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840IOR96 TO220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFI840BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
782+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 782 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 13732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
443+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840BTUON SemiconductorIRFI840BTU
auf Bestellung 13732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=0.85R, P=40W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220FULLPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GSiliconixN-MOSFET 4.6A 500V 40W 0.85Ω IRFI840 TIRFI840
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840G
Produktcode: 216946
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840G Pbf(MFET,LC,N-CH,TO-220ISO) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCSiliconixN-MOSFET 500V 4.5A 40W IRFI840GLC Vishay TIRFI840glc
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCTO220-ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.08 EUR
100+1.86 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+4.16 EUR
100+3.22 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.13 EUR
10+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBF
Produktcode: 178489
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.52 EUR
85+1.99 EUR
100+1.74 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI840GLCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.84 EUR
51+3.38 EUR
100+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.33 EUR
49+3.46 EUR
100+2.84 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.89 EUR
2000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI840GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.6 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.52 EUR
47+5.03 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVishay(MFET,LC,N-CH,TO-220ISO) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.27 EUR
50+4.5 EUR
100+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 4.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+4.02 EUR
100+3.39 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.28 EUR
10+6.14 EUR
50+4.8 EUR
100+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.63 EUR
100+3.05 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.11 EUR
2000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBF
Produktcode: 116730
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GVishayP-MOSFET 100V 5.2A 37W IRFI9520G Vishay TIRFI9520g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.07 EUR
100+1.88 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 5.2A P-CH MOSFET
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.15 EUR
10+3.08 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.21 EUR
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI9520GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.2 A, 0.6 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
73+3.2 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.26 EUR
10+4.07 EUR
50+3.13 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520NVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9530GVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]