Produkte > MUN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| MUN5233T1G | On Semiconductor | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 113000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5233T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 30901 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 8700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 201272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5233T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | auf Bestellung 28738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 8700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5233T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 29070 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 37272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5233T1G SC70-3 | ON-Semiconductor | NPN 50V 100mA 202mW MUN5233T1G ON Semiconductor TMUN5233t1g Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MUN5234DW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5234DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA | auf Bestellung 49470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5234T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5234T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5234T1 - MUN5234T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5234T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5234T1G | onsemi | Description: MUN5234 - NPN BIPOLAR DIGITAL TR | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5234T1G | ON | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MUN5234T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5234T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN | auf Bestellung 34191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5234T1G | On Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5234T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5234T1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5234T1G/BL3 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5235 | onsemi | SS SC70 BR XSTR NPN 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5235 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5235D | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1 | onsemi | LESHANBE SS SC88 BR XSTR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | auf Bestellung 567000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 567000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | auf Bestellung 9146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 1814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T1G | On Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 41284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 312000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 312000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor | Транзистор подвоєний цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 80 @ 5 мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корп Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 140 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 1814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 5274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235DW1T2 | onsemi | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5235T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 45018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 45018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | auf Bestellung 26957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5235T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 85960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 92770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5235T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 92770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5236DW1T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | auf Bestellung 35900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5236DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5236DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 35900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5236DW1T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5236DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 121000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5236DW1T1G | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5236DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | auf Bestellung 1562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5236T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5236T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5236T1 - MUN5236T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5236T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5236T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5236T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | auf Bestellung 2788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5236T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5236T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5236T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5237DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 44980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5237DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 44980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5237DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5237DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | auf Bestellung 9274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5237DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | auf Bestellung 5213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5237DW1T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN | auf Bestellung 38545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5237T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | auf Bestellung 42985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5237T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5237T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5237T1 - MUN5237T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5237T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5237T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 17000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5237T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5237T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5237T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5238T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5238T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5238T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5240T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MUN5240T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5240T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 159000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5240T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
