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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTD60N02R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
auf Bestellung 334998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1817+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1817 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD60N02R-1G - NTD60N02R-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 334998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3225+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-1GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
auf Bestellung 18750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1514+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1514 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-35GonsemiMOSFET 25V 62A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD60N02R-35G - NTD60N02R-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 19425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2700+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02R4T4GON09+
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RGonsemiMOSFET 25V 62A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RGONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RG(Transistor)
Produktcode: 46085
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UKTZED: 8542 31 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RG-1G
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RT4ONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RT4onsemiMOSFET 25V 62A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RT4GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RT4GonsemiMOSFET 25V 62A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02RT4HonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02T4
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02T4G
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N02T4G************
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 7203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
956+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 956 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD60N03-001 - MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03-001onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03-1
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03RT4G
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03T4onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03T4
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD60N03T4G
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414ANonsemiON Semiconductor NFET DPAK 100V 34A 38MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414AN-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6414AN-1G - NTD6414AN-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
675+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414AN-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414AN-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 15800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414AN-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.27 EUR
240+0.7 EUR
343+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414ANT4GonsemiMOSFETs NFET DPAK 100V 34A 37MO
auf Bestellung 5012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414ANT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 117A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414ANT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6414ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
112+2.08 EUR
132+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414ANT4GONN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6414ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415AN-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415AN-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415AN-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.4 EUR
70+2.4 EUR
100+1.7 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANLT4GonsemiMOSFETs 100V HD3E NCH
auf Bestellung 4147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.76 EUR
2500+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
83+2.81 EUR
109+1.98 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
auf Bestellung 4441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
10+3.19 EUR
100+2.19 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANLT4GON Semiconductor
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
109+1.98 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 584 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6415ANT4GON Semiconductor
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANonsemi NFET DPAK 100V 19A 96MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416AN-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416AN-1GON Semiconductor
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANL-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANL-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.12 EUR
277+0.61 EUR
394+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANL-1GON Semiconductor
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6416ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
131+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GonsemiMOSFETs NFET DPAK 100V 19A 106MO
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.07 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.3 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6416ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
87+2.67 EUR
131+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
143+1.51 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 10867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
13+1.69 EUR
100+1.26 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
97+2.42 EUR
143+1.51 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.13 EUR
250+1.33 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.9 EUR
204+0.8 EUR
206+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.92 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GonsemiMOSFETs NFET DPAK 100V 19A 96MO
auf Bestellung 28645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.87 EUR
203+0.84 EUR
205+0.82 EUR
250+0.8 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
987+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 987 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03R-035onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 5911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03R-1GON07+;
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03R-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 524038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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