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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFIZ48GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIZ48GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIZ48GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIZ48GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIZ48GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIZ48GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFIZ48GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIZ48GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIZ48NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFIZ48NPBFVishay / SiliconixMOSFETs
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IRFIZ48NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFIZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 36
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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IRFIZ48NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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IRFIZ48NPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 36A 16mOhm 59.3nC
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IRFIZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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376+1.46 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
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IRFIZ48VHRInfineon / IRInfineon
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IRFIZ48VPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 39A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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IRFIZ48VPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 60V 39A 12mOhm 73.3nC
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IRFJ120
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IRFJ220
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IRFJ230
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IRFJ240
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IRFJ320
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IRFJ330
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IRFJ340
auf Bestellung 100 Stücke:
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IRFJ420
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IRFJ440IR
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IRFJ9130
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IRFJ9140
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IRFJ9230
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IRFK2D054IR120A/60V/MOS/2U
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IRFK2D150IR72A/100V/MOS/2U
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IRFK2D250IRF3-7
auf Bestellung 260 Stücke:
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IRFK2D350IR25A/400V/MOS/2U
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IRFK2D450module
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IRFK2D450+IR.
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IRFK2DC50IR18A/600V/MOS/2U
auf Bestellung 133 Stücke:
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IRFK2DE50IR12A/800V/MOS/2U
auf Bestellung 134 Stücke:
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IRFK2F054IR120A/60V/MOS/2U
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IRFK2F150IR72A/100V/MOS/2U
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IRFK2F250IR54A/200V/MOS/2U
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IRFK2F350IR25A/400V/MOS/2U
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IRFK2F450Vds=500V Id=22A Rds(on)=200MOhm Транзистори
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IRFK2F450IR22A/500V/MOS/2U
auf Bestellung 139 Stücke:
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IRFK2FC50IR18A/600V/MOS/2U
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IRFK2FE50IR12A/800V/MOS/2U
auf Bestellung 141 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK3D150IR125A/100V/MOS/2U
auf Bestellung 142 Stücke:
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IRFK3D250IR70A/200V/MOS/2U
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK3D350IR37A/400V/MOS/2U
auf Bestellung 144 Stücke:
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IRFK3D450IRMODULE
auf Bestellung 160 Stücke:
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IRFK3F150IR125A/100V/MOS/2U
auf Bestellung 146 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK3F250IR70A/200V/MOS/2U
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK3F350IR37A/400V/MOS/2U
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK3F450IR33A/500V/MOS/2U
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK3FC50IR24A/600V/MOS/2U
auf Bestellung 150 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4H054IR150A/60V/MOS/1U
auf Bestellung 102 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4H150IR145A/100V/MOS/1U
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4H250module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4H350IRF3-6
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4H35DIRMODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4H450module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4HC50IR35A/600V/MOS/1U
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4HE50IR26A/800V/MOS/1U
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4J054IR150A/60V/MOS/1U
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4J150IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4J250IR108A/200V/MOS/1U
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4J350IR50A/400V/MOS/1U
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4J450IR44A/500V/MOS/1U
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4JC50IR35A/600V/MOS/1U
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK4JE50IR26A/800V/MOS/1U
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6H054module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6H150module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6H250module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6H350IRMODULE
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6H450IRMODULE
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6HC50IRMODULE
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6J054IR350A/60V/MOS/1U
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6J150IR150A/100V/MOS/1U
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6J250IR140A/200V/MOS/1U
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6J350IR75A/400V/MOS/1U
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6J450IRMODULE
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6JC50IRMODULE
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFK6T064IRF3-6
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014VISHAYMOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 190 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 80 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NPBF
Produktcode: 23061
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.300
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NPBFInternational RectifierHEXFET N-CH 55 V 1.9 A 140 mOm SOT-223 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 160mOhms 7nC
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IRFL014NTRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014NTR JGSEMI TIRFL014n JGS
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IRFL014NTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n
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IRFL014NTR
Produktcode: 29217
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFL014NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
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IRFL014NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 190 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL014NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
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IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
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IRFL014NTRPBF
Produktcode: 23060
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Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.300
JHGF: SMD
verfügbar: 12 St.
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    IRFL014NTRPBFInternational RectifierHEXFET N-CH 55 V 1.9 A 140 mOm SOT-223 PbFree Транзистори
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