Produkte > BC8
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| BC857CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CLT1G | ON-Semiconductor | PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR TBC857c ONS Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2535 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC857CLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 23520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CLT1G | On Semiconductor | SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=270, -55...+150 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CLT3G | On Semiconductor | SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=270, -55...+150 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | auf Bestellung 9950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CLT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 45V 100mA PNP SILCON | auf Bestellung 109771 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
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| BC857CLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CLT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857CLT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 130000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CLT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 100mA; 300mW; SC59 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC59 Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM T/R | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PNP GP 45V 100mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM,315 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CM,315 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 430mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CM,315 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC857CM/SOT883/XQFN3 | auf Bestellung 7291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CM,315 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 215539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CM,315 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 430mW; DFN1006-3,SOT883 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.43W Case: DFN1006-3; SOT883 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM,315 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 557500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM,315 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 430mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC857CM-Q/SOT883/XQFN3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM-QYL | Nexperia | BC857CM-Q/SOT883/XQFN3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 265 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CM315 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC857CM Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Bulk Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CMB,315 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 121229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CMB,315 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; DFN1006B-3,SOT883B Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006B-3; SOT883B Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CMB,315 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC857CMB/SOT883B/XQFN3 | auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CMB,315 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 11950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CMB,315 | NXP | Description: NXP - BC857CMB,315 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 178685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CMB,315 | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 133179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857CMTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CQ | Yangjie Electronic Technology | PNP General Purpose Amplifier | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CQ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQ-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 1545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...200MHz Application: automotive industry Manufacturer standard package: 3000pcs. Pulsed collector current: 0.2A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQA | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857CQA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, 45 V, 100 mA, 280 mW, SOT-1215, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420 hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 productTraceability: No SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQA147 | NXP | Description: NXP - BC857CQA147 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CQA147 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Active Packaging: Bulk Power - Max: 280 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: DFN1010D-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 19251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CQAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC857CQA/SOT1215/DFN1010D-3 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CQAZ | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 172200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 280 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 97740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CQAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 78489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857CQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CQB-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .1A PNP BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: - Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 4460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQBZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC857CQB/SOT8015/DFN1110D-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 4460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 450mW Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 360 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2273 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 360 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CQC-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC857CQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 | auf Bestellung 13294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CQCZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC857CQC/SOT8009/DFN1412D-3 | auf Bestellung 8928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 360 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CQCZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CS-AU_R1_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT GENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-45V IC-100mA SOT-363 AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CS-AU_R2_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT GENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-45V IC-100mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CS_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 1223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CS_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-45V IC-100mA SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CS_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CS_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT363 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CS_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-45V IC-100mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CT | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CT | Yangjie Electronic Technology | BC857CT | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CT | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-523 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CT | PHILIPS | SOT323 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CT | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CT T/R | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CT T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CT,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | auf Bestellung 28500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CT,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC-75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 28500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CT,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CT,115 | NXP | Description: NXP - BC857CT,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 28500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CT-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC857CT-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 520hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-523 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CT-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR | auf Bestellung 1272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC857CT-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC857CT-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 520hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-523 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC857CT-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Manufacturer standard package: 3000pcs. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CT-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC857CT-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
