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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
AS4C32M16MD1A-5BCNTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MD1A-5BCNTRAlliance MemoryDRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MD1A-5BINAlliance MemoryDRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MD1A-5BINTRAlliance MemoryDRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MD1B-5BINALLIANCE MEMORYDescription: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16MD1B-5BIN - DRAM, 512MBIT, 200MHZ, FPBGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.67 EUR
16+14.78 EUR
25+12.4 EUR
50+11.57 EUR
100+10.77 EUR
250+9.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MD1B-5BINALLIANCE MEMORYDescription: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16MD1B-5BIN - DRAM, Mobile DDR1, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FPBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+84.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MS-6BINAlliance MemoryDRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MS-6BINTRAlliance MemoryDRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MS-7BCNAlliance MemoryDRAM 512M 1.8V 133MHz 32Mx16 LP MSDR
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MSA-6BINAlliance MemoryDRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+12.35 EUR
25+11.79 EUR
50+11.52 EUR
100+11.47 EUR
250+11.16 EUR
500+10.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MSA-6BINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MSA-6BINTRAlliance MemoryDRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MSA-6BINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MSB-6BINAlliance MemoryDRAM LPSDRAM, 512M, 32M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 8 X 8MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, B Die
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MSB-6BINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 32M x 16
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.92 EUR
10+14.78 EUR
25+14.33 EUR
50+13.98 EUR
100+13.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MSB-6BINTRAlliance MemoryDRAM LPSDRAM, 512M, 32M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 8 X 8MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16MSB-6BINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 32M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7BCNAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7BCNAlliance MemoryDRAM SDRAM,512M,3.3V 143MHz, 32M x 16
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7BCNTRAlliance MemoryDRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 COM TEMP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7BCNTRAlliance Memory, Inc.Description: IC SDRAM 32M X 16 3.3V 54FBGA
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7BINAlliance MemoryDRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7BINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7BINTRAlliance MemoryDRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7BINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC SDRAM 32M X 16 3.3V 54FBGA
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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AS4C32M16SA-7TCNAlliance MemoryDRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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AS4C32M16SA-7TCNAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 2ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7TCNTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 2ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 32M x 16
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7TCNTRAlliance MemoryDRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7TINAlliance MemoryDRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7TINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 2ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7TINTRAlliance MemoryDRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SA-7TINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC SDRAM 32M X 16 3.3V 54-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-6TINAlliance MemoryDRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-6TINALLIANCE MEMORYDescription: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-6TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+93.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-6TINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-6TINALLIANCE MEMORYCategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-6TINTRAlliance MemoryDRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-6TINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-6TINTRALLIANCE MEMORYCategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7BINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7BINALLIANCE MEMORYCategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7BINALLIANCE MEMORYDescription: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7BIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+118.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7BINAlliance MemoryDRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7BINTRAlliance MemoryDRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7BINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7BINTRALLIANCE MEMORYCategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TCNAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 14ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.23 EUR
10+40.97 EUR
25+39.69 EUR
50+38.71 EUR
108+37.64 EUR
324+36.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TCNALLIANCE MEMORYCategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Clock frequency: 143MHz
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
Access time: 5.4ns
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TCNAlliance MemoryДинамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,3, Об'єм RAM = 512 Мбайт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 143, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Очікується: 11 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 108 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TCNALLIANCE MEMORYDescription: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7TCN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TCNAlliance MemoryDRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.53 EUR
10+37.57 EUR
25+36.38 EUR
50+35.5 EUR
108+34.53 EUR
216+33.13 EUR
540+32.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TCNTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 14ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.2 EUR
10+41.88 EUR
25+40.54 EUR
50+39.56 EUR
100+38.57 EUR
250+37.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TCNTRAlliance MemoryDRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.51 EUR
10+38.47 EUR
25+37.26 EUR
50+36.34 EUR
100+35.44 EUR
250+34.28 EUR
500+33.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TCNTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 14ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TCNTRALLIANCE MEMORYCategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 14ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.22 EUR
10+68.65 EUR
25+66.45 EUR
50+64.81 EUR
108+63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TINAlliance MemoryDRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.55 EUR
10+52.36 EUR
25+50.68 EUR
50+49.44 EUR
108+48.06 EUR
216+46.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TINALLIANCE MEMORYDescription: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+97.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TINALLIANCE MEMORYCategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TINTRALLIANCE MEMORYCategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 14ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.37 EUR
10+56.79 EUR
25+54.98 EUR
50+53.61 EUR
100+52.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 14ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB-7TINTRAlliance MemoryDRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.46 EUR
10+40.27 EUR
25+39 EUR
50+38.03 EUR
100+37.12 EUR
250+35.88 EUR
500+34.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SB7BINTRAlliance Memory SDR, 512Mb, 32M x 16, 33V, 54ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SC-7TINALLIANCE MEMORYDescription: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SC-7TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SC-7TINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.87 EUR
10+56.32 EUR
25+54.53 EUR
50+53.18 EUR
108+51.71 EUR
324+49.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SC-7TINAlliance MemoryDRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.96 EUR
10+39.82 EUR
25+38.53 EUR
50+37.62 EUR
108+36.57 EUR
216+35.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SC-7TINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SC-7TINTRAlliance MemoryDRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SM-7TCNAlliance MemoryDRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SM-7TCNAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SM-7TCNTRAlliance Memory, Inc.Description: IC SDRAM 512MBIT 32MX16 54TSOPII
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SM-7TINAlliance Memory, Inc.Description: IC SDRAM 512MBIT 32MX16 54TSOPII
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SM-7TINAlliance MemoryDRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M16SM-7TINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC SDRAM 512MBIT 32MX16 54TSOPII
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1-5BCNAlliance MemoryDRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1-5BCNAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1-5BCNTRAlliance MemoryDRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1-5BCNTRAlliance Memory, Inc.Description: IC SDRAM 32MX32 200MHZ 90FPBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1-5BINAlliance MemoryDRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1-5BINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1-5BINTRAlliance MemoryDRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1-5BINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC SDRAM 32MX32 200MHZ 90FPBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1A-5BINAlliance MemoryDRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.37 EUR
10+16.92 EUR
25+16.56 EUR
50+16.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1A-5BINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-FBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1A-5BINTRAlliance MemoryDRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD1A-5BINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD2-25BCNAlliance MemoryDRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 32Mx32 Mobile DDR2
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD2-25BCNAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 134-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-FBGA (10x11.5)
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 32M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD2-25BCNTRAlliance MemoryDRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 32Mx32 Mobile DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD2A-25BINAlliance MemoryDRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.41 EUR
10+13.4 EUR
25+12.73 EUR
50+12.42 EUR
100+11.94 EUR
256+11.63 EUR
512+11.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD2A-25BINAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 134-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-FBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 32M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD2A-25BINTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 134-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-FBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 32M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M32MD2A-25BINTRAlliance MemoryDRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M8D1-5TCNAlliance MemoryDRAM
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M8D1-5TCNAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M8D1-5TCNTRAlliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 32M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M8D1-5TCNTRAlliance MemoryDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AS4C32M8D1-5TINAlliance MemoryDRAM
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH