Produkte > AUI
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| AUIRFR4105TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4105TRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4105TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4105Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4105Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4105Z | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms | auf Bestellung 2786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4105ZTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4105ZTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms | auf Bestellung 5719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR4105ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4105ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4105ZTRL | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR4105ZTRL - AUIRFR4105Z 55V-60V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR4105ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4105ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4292 | Infineon / IR | MOSFET Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, DPAK | auf Bestellung 2093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4292 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR4292TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR4292TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.3 A, 0.275 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Produktreihe HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR4292TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4292TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR4292TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.3 A, 0.275 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Produktreihe HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR4292TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, DPAK | auf Bestellung 1907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR4292TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 250V 9.3A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4292TRR | Infineon / IR | MOSFET Automotive Power MOSFET; 250V 345mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4615 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms | auf Bestellung 2993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4615 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4615 | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | verfügbar 31 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4615TR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4615TRL | Infineon | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AUIRFR4615TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR4615TRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR4615TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK Qualification: AEC-Q101 Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4615TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR4615TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4615TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4620 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4620 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR4620 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 24 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 144 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 144 Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4620 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4620TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR4620TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4620TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR4620TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4620TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 144W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR4620TRL | Infineon | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AUIRFR4620TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4620TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR4620TRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR4620TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR4620TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR48Z | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR48Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR48Z | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR48ZTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR48ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR48ZTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR48ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR48ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5305 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 2612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305 | Infineon | MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AUIRFR5305 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5305 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms | auf Bestellung 1533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR5305 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 2612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305 | International Rectifier | P-ch. DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5305TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5305TR | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms | auf Bestellung 7853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TR | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5305TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 9964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 9964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TR | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR5305TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TR | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR5305TR - MOSFET40V,60V tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 11163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5305TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TRL | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200, Qg, нКл = 63, Rds = 65 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 110, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 40 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 4 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5305TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 11163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms | auf Bestellung 423251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR5305TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR540Z | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 91, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | verfügbar 126 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR540Z | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR540Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR540ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR540ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR540ZTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR540ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0285 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR540ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR540ZTRL | Infineon | auf Bestellung 756000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AUIRFR540ZTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR540ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0285 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR540ZTRL | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR540ZTRL | Infineon Technologies | MOSFETs Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK | auf Bestellung 2181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR540ZTRR | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5410 | Infineon / IR | MOSFET AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms | auf Bestellung 1077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5410 | International Rectifier | D-Pak Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5410 Produktcode: 154309
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| AUIRFR5410 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AUIRFR5410 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 1306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5410-IR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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