Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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| IRFP460HPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 500V | auf Bestellung 602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP460HPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP460HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.234 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 329W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460HPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460HPBF | Vishay Siliconix | Description: POWER MOSFET TO-247AC, 270 M @ 1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3208 pF @ 100 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460LC | (MFET,LC,N-CH,280W,500V,20A,TO-247AC) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFP460LC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460LC | Siliconix | N-MOSFET 20A 500V 280W 0.27Ω IRFP460LC TIRFP460lc Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP460LC | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Vishay BC Components | N-канальный ПТ (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460LCPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP460LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP460LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | TO-247 Транзистори | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460LCPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET | auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP460LCPBF Produktcode: 22653
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 500 Idd,A: 20 Rds(on), Ohm: 0.27 Ciss, pF/Qg, nC: 3600/120 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460LCPBF.. | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP460LCPBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm | auf Bestellung 716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460N | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 500V 20 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460N Produktcode: 142442
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFP460NPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460P | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460P | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 500V 20 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF Produktcode: 192334
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| Siliconix | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 500 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210 JHGF: THT | auf Bestellung 37 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 2402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 1403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP460PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET | auf Bestellung 6380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 610500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460PBF Produktcode: 149448
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 500 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 2402 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 4148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 12 А, 10 В, Ugs(th) = 4 @ 250 мкА, Р, Вт = 280 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 4148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460PBF Produktcode: 23707
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 500 Idd,A: 20 Rds(on), Ohm: 0.27 Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 610500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | auf Bestellung 19519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP460PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP460_R4943 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP462 | HARRIS | IRFP462 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP462 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4668 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4668 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 27mOhm; 130A; 700W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; SP001572854; SP005732696; IRFP4668 JSMICRO TIRFP4668 JSM Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4668 Produktcode: 83053
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFP4668 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4668 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC Produktcode: 32680
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Lieblingsprodukt
| Infineon (IRF) | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 200 V Idd,A: 130 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161 JHGF: THT | auf Bestellung 141 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | MOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm | auf Bestellung 3696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBF | Infineon | MOSFET N-Ch 200V 130A TO247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 6615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 10225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon | N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 6615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | auf Bestellung 13300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V | auf Bestellung 1821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP470 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP470 | IXYS | MOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4710 | International Rectifier | HEXFET power MOSFET. VDSS = 100 V, RDS(on) = 0.014 Ohm, ID = 72 A Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4710PBF - IRFP4710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 167 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 23375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4710PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 72 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 190 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 22467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4710PBF Produktcode: 83493
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFP4768 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4768 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFP4768 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A Pulsed drain current: 370A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF Produktcode: 55495
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 250 V Idd,A: 93 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10880/180 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 1229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | auf Bestellung 1228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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