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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DTC115TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 552 Stücke
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DTC115TUAROHMSOT323
auf Bestellung 53972 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC115TUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
11+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC115TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3125+0.056 EUR
3135+0.055 EUR
3473+0.049 EUR
3598+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC115TUAT106
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC115TUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC115TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2174 Stücke
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DTC115UUROHM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC11YKAROHM04+ SOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC123ROHMTO-92S
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC1235ZT1GROHM
auf Bestellung 3930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin TO-92 Box
auf Bestellung 63320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123E - DTC123E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EonsemiDescription: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
auf Bestellung 63320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123Eonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAMicrodiode Electronics (MDD)DTC123ECA
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.033 EUR
42000+0.03 EUR
63000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAYangjie Electronic TechnologyDTC123ECA
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6494+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 6494 Stücke
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DTC123ECA-7DIODES04+ SOT-23
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECA-TPMicro Commercial ComponentsDigital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 738 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 350 mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 6279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
93+0.23 EUR
151+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 738 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC123ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
1000+0.21 EUR
1119+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
537+0.32 EUR
557+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC123ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
1000+0.21 EUR
1119+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
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DTC123EE
Produktcode: 139287
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEROHM09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 20@20MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
176+0.12 EUR
285+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEYangjie Electronic TechnologyDTC123EE
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEonsemi SS SC75 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 20@20MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.038 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE-TPMicro Commercial ComponentsPre-Biased Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR NPN SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
77+0.27 EUR
95+0.23 EUR
129+0.17 EUR
250+0.13 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+0.31 EUR
910+0.19 EUR
1244+0.13 EUR
1450+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.65 EUR
625+0.37 EUR
1000+0.21 EUR
1462+0.14 EUR
1722+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2800 Stücke:
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1132+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.65 EUR
625+0.37 EUR
1000+0.21 EUR
1462+0.14 EUR
1722+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 5964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
60+0.36 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2075+0.083 EUR
2500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2075 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
110+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+0.58 EUR
622+0.37 EUR
1108+0.19 EUR
1643+0.13 EUR
1758+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 4910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
11+0.32 EUR
100+0.29 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+0.58 EUR
622+0.37 EUR
1108+0.19 EUR
1643+0.13 EUR
1758+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
772+0.23 EUR
1249+0.14 EUR
1707+0.099 EUR
1938+0.084 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 772 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 100mA; 50V EMT3F
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1471+0.23 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1471 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEBTLRohmЦифровой транзистор NPN 100MA 50V, SC-89, SOT-490 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1471 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 705 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 854 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
103+0.2 EUR
167+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 32888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17143+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 17143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17143+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 17143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1GOn SemiconductorЦифровой транзистор NPN, 2.2/2.2 кОм, SC-75-3, SOT-416 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17143+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 17143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
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DTC123EETLROHMDescription: ROHM - DTC123EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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DTC123EETLRohmЦифровой транзистор 2.2/2.2 кОм, SC-75-3, SOT-416 Транзистори
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DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
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DTC123EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTC123EETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA SOT-416
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DTC123EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
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DTC123EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTC123EKROHMSOT23
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DTC123EKAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
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DTC123EKAROHMSOT23
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DTC123EKA
Produktcode: 129643
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DTC123EKA-T146
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DTC123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTC123EKAT146RohmЦифровой транзистор 2.2/2.2 кОм, SC-59, SOT-346 Транзистори
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