Produkte > SPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SPD30N03L | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L-07 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L-07 G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V | auf Bestellung 1757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L-10 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L-10 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 | auf Bestellung 2024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L-20 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L-20G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 8367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD30N03S2L07GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30N03S2L07GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V | auf Bestellung 1757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD30N03S2L07GBTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD30N03S2L07GBTMA1 - SPD30N03 - OPTLMOS, 30A, 30V, 0.0098OHM, tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30N03S2L07GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30N03S2L07GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L07T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L10GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L10T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L20GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30N03S2L20GBTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD30N03S2L20GBTMA1 - SPD30N03 OPTLMOS, 30A, 30V, 0.031OHM, N tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30N03S2L20GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | auf Bestellung 22023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD30N03S2L20GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30N03S2L20GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N03S2L20GBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30N06 | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPD30N06-15 | infineon | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2- | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPD30N06S2-08 | INFINEON | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2-13 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2-15 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2-23 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2-23 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2-40 | INFINEON | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2L | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPD30N06S2L-13 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2L-23 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2L-23 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N06S2L-23A | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPD30N06S2L13 | INFINEON | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SPD30N06S2L23 | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SPD30N06SE-15 | auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPD30N08S2-22 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD30N08S2-22 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N08S2-22 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N08S2-22 | Infineon Technologies | SPD30N08S2-22 | auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30N08S2-22 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD30N08S2-22 - SPD30N08 - OPTLMOS, 30A, 75V, 0.0215OHM, tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30N08S2L-21 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N08S2L21 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30N08S2L21 | INFINEON | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SPD30P06P | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -30A DPAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30P06P | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30P06P Produktcode: 149969
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SPD30P06P G | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06P G | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -30A DPAK-2 | auf Bestellung 12183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD30P06P G | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06PG | Infineon technologies | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SPD30P06PG | UMW | Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD30P06PG | UMW | Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30P06PGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30P06PGATMA1 | Infineon Technologies | P-CHANNEL (NEGATIVE) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30P06PGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 47500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 Produktcode: 211124
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 124284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -30A DPAK-2 | auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -30A Power dissipation: 125W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD31N05 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD3303C | Siglent Technologies NA, Inc. | Description: POWER SUPP 2CH 3A 0-30VDC 120VAC Features: Linear, Programable Packaging: Box Display Type: LED Size / Dimension: 11.024" L x 5.689" W x 6.157" H (280.00mm x 144.50mm x 154.60mm) Voltage - Output: 2.5V, 3.3V, 5V, 0 ~ 32V Number of Characters: 2 Current - Output: 3.2A Type: Bench (AC to DC) Voltage - Supply: 100VAC, 120VAC, 220VAC, 230VAC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD3303D Produktcode: 105242
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| Siglent Technologies Co.,LTD. | Werkzeuge und Geräte > Labornetzteile | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD3303X | Siglent Technologies NA, Inc. | Description: POWER SUPP 3CH 2A 0-32VDC SER 12 Number of Outputs: 3 Voltage - Supply: 100VAC, 120VAC, 220VAC, 230VAC Type: Bench (AC to DC) Current - Output: 3.2A Number of Characters: 5 Voltage - Output: 0 ~ 32V, 2.5V, 3.3V, 5V Size / Dimension: 10.954" L x 5.630" W x 8.858" H (278.00mm x 143.00mm x 225.00mm) Display Type: LCD Features: Programmable Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD3303X Programmierbare Präzisionsstromversorgung Produktcode: 107055
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| Siglent | Werkzeuge und Geräte > Labornetzteile | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD3303X-E Produktcode: 208634
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| Werkzeuge und Geräte > Labornetzteile | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SPD3303X-E | Siglent Technologies NA, Inc. | Description: POWER SUPP 3CH 2A 0-32VDC PAR 12 Voltage - Supply: 100VAC, 120VAC, 220VAC, 230VAC Type: Bench (AC to DC) Current - Output: 0 ~ 3.2A Number of Characters: 3 Voltage - Output: 0 ~ 32V, 2.5V, 3.3V, 5V Size / Dimension: 10.954" L x 5.630" W x 8.858" H (278.00mm x 143.00mm x 225.00mm) Display Type: LCD Features: Programmable, USB Interface Power (Watts): 220W Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD3316PT100M | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPD35N10 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD35N10 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD35N10 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD3D16-22UH(3D1622UH) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SPD42R-103M | API Delevan | Fixed Inductors 10uH 20% .083ohm Shield Pwr Choke SMT | auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD42R-103M | Delevan | Description: FIXED IND 10UH 580MA 83 MOHM SMD Shielding: Shielded Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.185" L x 0.185" W (4.70mm x 4.70mm) Package / Case: Nonstandard Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Current Rating (Amps): 580 mA Inductance: 10 µH Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.115" (2.92mm) Inductance Frequency - Test: 100 kHz Material - Core: Ferrite Current - Saturation (Isat): 580mA Frequency - Self Resonant: 37MHz DC Resistance (DCR): 83mOhm Max Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Drum Core, Wirewound | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD42R-103M | Delevan | Description: FIXED IND 10UH 580MA 83 MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.185" L x 0.185" W (4.70mm x 4.70mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 83mOhm Max Frequency - Self Resonant: 37MHz Current - Saturation (Isat): 580mA Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Height - Seated (Max): 0.115" (2.92mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 580 mA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPD42R-104M | API Delevan Inc. | Description: FIXED IND 100UH 120MA 700 MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD42R-104M | API Delevan Inc. | Description: FIXED IND 100UH 120MA 700 MOHM | auf Bestellung 942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD42R-104M | API Delevan | Fixed Inductors 100uH 20% .7ohm Shield Pwr Choke SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD42R-104M | API Delevan Inc. | Description: FIXED IND 100UH 120MA 700 MOHM | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SPD42R-122M | API Delevan | Fixed Inductors 1.2uH 20% .019ohm Shield Pwr Choke SMT | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |