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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP16NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NF96LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NK60ZST
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NK60Z
Produktcode: 103661
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NK65ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NK65Z
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NK65ZSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 650 V 0.38 Ohm 13A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NS25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NS25
auf Bestellung 7883 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NS25FP
auf Bestellung 19857 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP16NS25FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP170N8F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+5.97 EUR
25+5.18 EUR
100+4.44 EUR
1000+4.4 EUR
2000+4.3 EUR
5000+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP170N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP170N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.19 EUR
50+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP170N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP170N8F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP170N8F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.25 EUR
39+5.99 EUR
100+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP175(30-60)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP175(60-90)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP175F
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP175MWF
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP177208AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 15.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220AB
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.97 EUR
10+9.84 EUR
100+8.07 EUR
500+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 15.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.21 EUR
10+7.35 EUR
100+5.43 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
Gate charge: 26nC
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.57 EUR
15+5.93 EUR
25+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NF25STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 250V STripFET II Mosfet
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+1.74 EUR
100+1.64 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.12 EUR
5000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 10906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.06 EUR
5000+0.96 EUR
10000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NF25STTrans MOSFET N-CH 250V 17A STP17NF25 TSTP17NF25
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 15A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFPSTMMOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.78 EUR
10+5.09 EUR
100+4.65 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.81 EUR
2000+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9.4A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.25 EUR
15+5.82 EUR
19+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFP
Produktcode: 133966
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.63 EUR
52+3.36 EUR
100+3.11 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 15A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.13 EUR
50+3.67 EUR
100+3.65 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP17NK40ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.4 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.92 EUR
41+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.65 EUR
52+3.31 EUR
100+3.01 EUR
500+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP17NK40ZFPSTTrans MOSFET N-CH 400V 15A STP17NK40ZFP STM TSTP17NK40ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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10+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.63 EUR
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STP1806
auf Bestellung 5000 Stücke:
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STP1806STMicroelectronicsMOSFETs
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STP180N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP180N10F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP180N10F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.38 EUR
10+10.25 EUR
25+9.67 EUR
100+8.4 EUR
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STP180N10F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP180N10F3STMicroelectronics
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP180N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ 120 A STripFET F6 Power MOSFET
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 395-399 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+3.77 EUR
100+3.03 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.12 EUR
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STP180N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.13 EUR
66+2.67 EUR
100+2.11 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP180N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.33 EUR
83+2.11 EUR
100+1.8 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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STP180N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP180N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.57 EUR
50+2.24 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STP180N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.13 EUR
66+2.61 EUR
100+2.02 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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STP180N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.33 EUR
83+2.06 EUR
100+1.73 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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STP180N55
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
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STP180N55F3STMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
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STP180NS04ZCSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH CLMP 12A FULL PROTCT SAFeFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP180NS04ZCSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP185N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP185N10F3STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP185N10F3
auf Bestellung 17854 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP185N55
auf Bestellung 17368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP185N55F3
auf Bestellung 17688 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP185N55F3STMicroelectronicsMOSFET N-channel 55V 3.5m Mosfet
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STP189220EssentraConduit Fittings & Accessories Tapered Plug:Silicone Blue
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP189220AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP189220CEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
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STP18N10
auf Bestellung 7884 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP18N10FI
auf Bestellung 7885 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.58 EUR
69+2.52 EUR
100+2.37 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.13 EUR
2000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.13 EUR
2000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
50+3.75 EUR
100+3.39 EUR
500+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.46 EUR
100+2.28 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N55M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
auf Bestellung 2046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.1 EUR
10+3.69 EUR
100+3.22 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N55M5STMN-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.14 EUR
50+3.08 EUR
100+2.78 EUR
500+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
10+3.01 EUR
100+2.75 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.14 EUR
2000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+2.81 EUR
100+2.53 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.83 EUR
2000+1.74 EUR
5000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 ODPOWIEDNIK: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
112+2.08 EUR
113+1.9 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
39+2.21 EUR
44+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMMOSFET N-CH 600V 13A TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
50+2.86 EUR
100+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M2
Produktcode: 145124
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP18N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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STP18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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