Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRFR024NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NPBF Produktcode: 34111
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 16 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFR024NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | verfügbar 1 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NTR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR UMW TIRFR024 UMW Anzahl je Verpackung: 40 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR024NTR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR JGSEMI TIRFR024 JGS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR024NTR | UMW | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024NTR | Infineon | N-MOSFET 14A 60V 42W 1.2Ω IRFR024NTR IRFR024N-GURT IRFR024NTRL IRFR024NTRR IRFR024N smd TIRFR024 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR024NTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm | auf Bestellung 72002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V | auf Bestellung 90862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF Produktcode: 42276
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 16 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Montage: SMD | verfügbar: 20 St.
auf Bestellung: 87 St.
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| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 28432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 82000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V | auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 82000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm | auf Bestellung 72002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NTRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 4227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 28432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC | auf Bestellung 34534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024NTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024NTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFR024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | auf Bestellung 5024 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024PBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 N-CH 60V 14A | auf Bestellung 3655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024TF | auf Bestellung 24600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR024TLR | auf Bestellung 1846 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR024TM | auf Bestellung 72500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR024TM Produktcode: 18281
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Lieblingsprodukt
| FS | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 14 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TR | ir | - | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chan 60V 14 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024TRLPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRLPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024TRPBF Produktcode: 119352
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFR024TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024TRPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR024TRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 N-CH 60V 14A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024TRPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRPBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 N-CH 60V 14A | auf Bestellung 15032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | auf Bestellung 2297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR024TRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRRPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR024TRRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR1010 | IR | 07+ | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR1010Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR1010ZPBF | Infineon / IR | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC | auf Bestellung 5833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR1010ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm | auf Bestellung 3416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC | auf Bestellung 4395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 91A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm | auf Bestellung 3416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR1010ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |