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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N2896 TIN/LEADCentral Semiconductor2N2896 TIN/LEAD
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N2896XSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
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2N2896XSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 90V 1A 500mW
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2N2897MOTOROLA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2897Solid State Inc.Description: TRANS NPN 45V 1A TO18
auf Bestellung 50 Stücke:
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22+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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2N2898MOTOROLA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2899MOTOROLA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N289AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
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2N29MOTOROLA
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N290MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2900MOTOROLA
auf Bestellung 38900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2903MOTOROLA
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2903Central Semiconductor CorpDescription: TRANS 2NPN 50MA 30V TO78-6
Supplier Device Package: TO-78-6
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 1.2W
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
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2N2903Central SemiconductorCentral Semiconductor
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2N2903ACentral Semiconductor CorpDescription: TRANS 2NPN 50MA 30V TO78-6
Supplier Device Package: TO-78-6
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 1.2W
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
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2N2903AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2903AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2904MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs Транзистори
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2N2904Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2904NTEBipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 600mW Surface Mount TO-39 Транзистори
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2N2904Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.19 EUR
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2N2904onsemi
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2N2904Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.6 EUR
25+22.15 EUR
50+21.41 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N2904onsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 600 mW
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2N2904Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.28 EUR
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2N2904 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3 W
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N2904 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N2904 PBFREECentralsemiBipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W Транзистори
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2N2904 TIN/LEADCentral SemiconductorPNP Silicon Transistor
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N2904 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
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2N2904 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
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2N2904/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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2N2904AMOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
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2N2904AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.84 EUR
100+37.93 EUR
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2N2904A
Produktcode: 173151
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2N2904AMotorola(PNP,0.6W,60V,0.6A,200MHZ,TO-39)(аналог КТ 867) Транзистори
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2N2904AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.98 EUR
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2N2904AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N2904A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
auf Bestellung 1087 Stücke:
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1+4.58 EUR
10+3.81 EUR
100+3.03 EUR
250+2.81 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.37 EUR
5000+2.28 EUR
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2N2904A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N2904A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
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2N2904A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5V 0.6A 0.8W
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2N2904A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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2N2904A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2904AJTXNational SemiconductorDescription: 2N2SMASIGNBIPOLTRANSISTO0.660PNT
Packaging: Bulk
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2N2904ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Long-Lead Small-Signal BJT THT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2904ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2904AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2904SMOTOROLA
auf Bestellung 55600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N2905onsemi
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2N2905MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2905 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Schaltfrequenz, PNP, 40 V, 600 mA, 3 W, TO-39
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Switching PNP Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 4932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
152+1.54 EUR
205+1.05 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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2N2905Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2905Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
10+3.68 EUR
100+2.55 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2905Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2905Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2905STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2905CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.6/3W; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.6/3W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.07 EUR
115+0.74 EUR
191+0.44 EUR
212+0.4 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2905onsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 600 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2905 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2905 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.9 EUR
10+3.83 EUR
100+2.81 EUR
500+2.34 EUR
1000+1.93 EUR
2500+1.92 EUR
5000+1.89 EUR
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2N2905 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 600MA 600MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2905 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N2905 Transistor
Produktcode: 126070
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 МГц
Spannung Uce, V: 40 В
Spannung Ucb, V: 60 В
Strom Ic, A: 0,6 А
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.96 EUR
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2N2905-CDICDIL2N2905-CDI 2N2905 TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Транзистори
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2N2905ACDILPNP 600mA 60V 600mW 200MHz 2N2905A T2N2905a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N2905AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.63 EUR
100+20.1 EUR
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2N2905AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.04 EUR
25+23.44 EUR
50+22.69 EUR
100+20.61 EUR
250+20.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N2905ACDILТранзистор PNP, Uceo, В = 60, Ic = 600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °C = -65...+200,... Транзистори Корпус: TO-39-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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2N2905ACDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.6/3W; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.6/3W
Case: TO39
Current gain: 50...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 2322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.27 EUR
96+0.89 EUR
160+0.54 EUR
178+0.48 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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2N2905ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
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2N2905AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V, 0.6A, 800mW BJT PNP Transistor
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2N2905AMICROSEMITO39/PNP TRANSISTOR 2N2905
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N2905AMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2905A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 21800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
179+1.3 EUR
242+0.89 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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2N2905AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2905ACentral Semiconductor Corp.Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,6, Uceo, В = 60, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200,... Транзистори Корпус: TO-39-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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2N2905AonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2N2905ACDIL=КТ622А Транзистори
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2N2905A (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 27215
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-18
Transitfrequenz fT: 200 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 150
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2N2905A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.16 EUR
100+2.89 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N2905A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
auf Bestellung 3549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.67 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.28 EUR
2500+2.12 EUR
5000+1.95 EUR
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2N2905A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Box
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N2905A PBFREECentral SemiconductorCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.8W; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.08 EUR
31+2.76 EUR
36+2.37 EUR
100+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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2N2905A TIN/LEADCentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Box
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N2905A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 60V 600MA 600MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N2905A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5V 0.6A 0.8W
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N2905A-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2N2905A-JQR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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2N2905A-JQR-BWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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2N2905A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2905ACSM-QR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin CLLCC-1
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2905ACSM-QR-BWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2905AE3Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2905AE3Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2905AE3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT
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2N2905AJANTXSemicoa SemiconductorsTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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2N2905ALMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-5 Tray
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N2905ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2905ALMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-5 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2905ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2905APMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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