Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| IRFR3806PBF | ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 43, Rds = 15,8 мОм, Р, Вт = 71, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) ,... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3806TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,8mOhm; 43A; 71W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR3806; IRFR3806TR; SP001567646; SP001564890; IRFR3806TR UMW TIRFR3806 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR3806TR | Infineon | N-MOSFET 60V 43A 71W 15.0mOhm IRFR3806 TIRFR3806 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 3193 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR3806TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3806TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3806TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Drain current: 43A Power dissipation: 71W | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3806TRPBF | ON Semiconductor | N-канальный ПТ (Vds=60V, Id=43A@T=25C, 15.8 mOhm @ 25A, 10V, P=71W, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) -55 to 175C),... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg | auf Bestellung 32796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3806TRPBF | International Rectifier | DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3806TRPBF Produktcode: 164837
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 60 V Idd,A: 43 A Rds(on), Ohm: 12,6 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1150/22 JHGF: SMD | auf Bestellung 397 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR3806TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910 HXY MOSFET TIRFR3910 HXY Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR3910CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 375 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) | auf Bestellung 6468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 52W 100V 15A 115mΩ DPAK Produktcode: 32400
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 100 Idd,A: 16 Rds(on), Ohm: 0.115 Ciss, pF/Qg, nC: 640/44 JHGF: SMD | verfügbar: 156 St.
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| IRFR3910PBF | International Rectifier | N-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910PBF | International Rectifier HiRel Products | IRFR3910PBF | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 125mOhm; 12A; 34,7W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910TR JGSEMI TIRFR3910 JGS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR3910TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 115mOhm; 16A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910TR UMW TIRFR3910 UMW Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR3910TR | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 115mOhm; 15A; 50W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3910; IRFR3910TRL; IRFR3910TR; IRFR3910TRR; SP001571594; SP001573318; SP001560674; IRFR3910TR JSMICRO TIRFR3910 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR3910TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3910TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 876 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | auf Bestellung 364238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 135842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC | auf Bestellung 27633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 283196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TRLPBF | International Rectifier | N-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC | auf Bestellung 16159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | auf Bestellung 19054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3910TRPBF | International Rectifier | N-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR3910TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3911 | IR | 07+ TO-252 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3911PBF | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR3911TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 14A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3911TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 14A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR3911TRPBF | ON | 09+ SOP | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4015 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR4104PBF | IR | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR4104PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104 Produktcode: 99505
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 40 Idd,A: 42 Rds(on), Ohm: 5.5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59 JHGF: SMD | auf Bestellung 50 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRFR4104TR | International Rectifier | N-MOSFET 42A 40V 140W IRFR4104 TIRFR4104 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR4104TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TR-VB | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR4104TR-VB; IRFR4104TR TIRFR4104 VBS Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR4104TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR4104TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC | auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR4104TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg | auf Bestellung 2883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Drain current: 119A Power dissipation: 140W | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | auf Bestellung 3230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRR | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4104TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4105 | International Rectifier | N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TR, IRFR4105 IRFR4105 TIRFR4105 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR4105PBF | Infineon | MOSFET N-Ch DPak 55V 27A 45mOhm Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4105TRPBF Produktcode: 2752
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-252/D-Pak Uds,V: 55 V Idd,A: 27 A Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 700/34 JHGF: SMD | auf Bestellung 51 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4105PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4105PBF | International Rectifier | MOSFET N-Ch DPak 55V 27A 45mOhm Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR4105PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |