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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPS80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R900P7AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R900P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.42 EUR
100+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
1500+1.07 EUR
4500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS80R900P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8160HQSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8160HQ - LEISTUNGSSCHALTER HIGHSIDE 0.7A QFNEP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 700mA
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.97 EUR
19+12.36 EUR
25+10.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8160HQSTMicroelectronicsDescription: 0.5A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 700mA
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Input Type: CMOS
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 8
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.65 EUR
10+11.27 EUR
100+9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8160HQSTMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution 0.5A Octal high side driver
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.24 EUR
10+12.86 EUR
25+12.27 EUR
100+10.66 EUR
250+10.16 EUR
500+9.28 EUR
1000+8.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8160HQSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8160HQ - LEISTUNGSSCHALTER HIGHSIDE 0.7A QFNEP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 700mA
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.97 EUR
19+12.36 EUR
25+10.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8160HQSTMicroelectronicsDescription: 0.5A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 700mA
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Input Type: CMOS
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8160HQ-1STMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution 1.0A Octal high side driver
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.24 EUR
10+12.86 EUR
25+12.27 EUR
100+10.66 EUR
250+10.16 EUR
500+9.28 EUR
1000+8.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8160HQ-1STMicroelectronicsDescription: 1.0A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Input Type: CMOS
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.73 EUR
10+11.42 EUR
100+9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8160HQ-1STMicroelectronicsDescription: 1.0A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Input Type: CMOS
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8200HQSTMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution Octal high-side smart power solid-state relay serial/parallel selectable interface on-chip
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.18 EUR
10+12.59 EUR
25+11.69 EUR
100+10.7 EUR
250+10.22 EUR
500+9.95 EUR
1000+9.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8200HQ-1STMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution Octal high-side smart power solid-state relay serial/parallel selectable interface on-chip
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.45 EUR
10+13.61 EUR
25+12.65 EUR
100+11.6 EUR
250+11.1 EUR
500+10.78 EUR
1000+10.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8200HQ-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8200HQ-1 - Leistungsverteilungsschalter, Active-Low, 8 Ausgänge, 36V, 0.2 Ohm, VFQFPN-EP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.7A
IC-Gehäuse / Bauform: VFQFPN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.77 EUR
15+16.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS8200HQ-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8200HQ-1 - Leistungsverteilungsschalter, Active-Low, 8 Ausgänge, 36V, 0.2 Ohm, VFQFPN-EP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.7A
IC-Gehäuse / Bauform: VFQFPN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.77 EUR
15+16.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPS962-512-PoE-DC 4PoE+Vision IO+2 slotsAxiomtekEmbedded Box Computers IPS962-512-PoE-DC 4PoE+Vision IO+2 slots
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R1K2P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.7 EUR
100+1.3 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R1K2P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R1K2P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R1K2P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R1K4CEAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R1K4CEAKMA1 - CONSUMER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.74 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R1K4P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.34 EUR
278+0.83 EUR
404+0.54 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.54 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1320+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R2K0CEAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R2K0CEAKMA1 - IPSA70R2K 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1214+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R2K0P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R2K0P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+1.37 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R2K0P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 17.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-347
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R360P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
444+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 444 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
617+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 617 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 49799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
617+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 617 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R360P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
617+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 617 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.39 EUR
100+1.23 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.13 EUR
1500+1.08 EUR
4500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R450P7SInfineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R450P7SAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R450P7SAKMA1 - IPSA70R450 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 31075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
742+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 742 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R450P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R450P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R450P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.43 EUR
100+1.12 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.76 EUR
1500+0.73 EUR
4500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R450P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
auf Bestellung 1266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
75+1.08 EUR
150+0.96 EUR
525+0.8 EUR
1050+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R600CEAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R600CEAKMA1 - IPSA70R600 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
703+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 703 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
498+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
608+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 608 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R600P7SAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R600P7SAKMA1 - IPSA70R600 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
859+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 859 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 785-789 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.51 EUR
100+1.04 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.74 EUR
1500+0.65 EUR
4500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R750P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 11516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1247+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R750P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
auf Bestellung 2832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1019+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1019 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R750P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R750P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R750P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1247+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R750P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R750P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
234+0.99 EUR
323+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R900P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.42 EUR
254+0.92 EUR
327+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSA70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
auf Bestellung 85500 Stücke:
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IPSA70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPSA70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPSA70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-347
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
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IPSA70R950CEAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R950CEAKMA1 - IPSA70R950 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Mindestbestellmenge: 923 Stücke
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IPSA70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
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IPSA70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-347
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
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654+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
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IPSAT-C0184-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter -1to+24barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
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IPSAT-C0184-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS -1-24BARG 4-20MA
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IPSAT-G1000-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter 0-1barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
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IPSAT-G1000-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS 0-1BARG 4-20MA
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IPSAT-G1002-5Cynergy30
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IPSAT-G1002-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter 0-10barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
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IPSAT-G1002-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS 0-10BARG 4-20MA
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IPSAT-G1003-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter 0-100barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
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IPSAT-G1003-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS 0-100BARG 4-20MA
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IPSAT-G1602-5Cynergy3Pressure Sensors - Industrial IS Pressure Transmitter 0-16barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
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IPSAT-G1602-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS 0-16BARG 4-20MA
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IPSAT-G2502-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter 0-25barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
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IPSAT-G2502-5Sensata-Cynergy3Description: PRESSURE TRANS 0-25BARG 4-20MA
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IPSAT-G4002-5SENSATA / CYNERGY3Description: SENSATA / CYNERGY3 - IPSAT-G4002-5 - Drucksensor, 40 bar, Analog, Relativdruck, 28 VDC, G1/4 (1/4" BSP)
tariffCode: 90262080
Druckmessung: Relativdruck
Nennspannung: 28
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: -
hazardous: false
Anschlusstyp: G1/4 (1/4" BSP)
Betriebsdruck, max.: 40
Sensorausgang: Analog
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPSAT Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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IPSAT-G4002-5Cynergy3Pressure Sensors - Industrial IS Pressure Transmitter 0-40barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
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IPSAT-G4002-5Sensata Technologies, Inc.Description: PRESSURE TRANS 0-40BARG 4-20MA
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 580.15PSI (4000kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 28V
Port Size: Male - 1/4" (6.35mm) NPT
Applications: Industrial Automation
Port Style: Threaded
Maximum Pressure: 1160.3PSI (8000kPa)
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IPSAT-G4003-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter 0-400barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
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IPSAT-G4003-5Sensata-Cynergy3Description: PRESSURE TRANS 0-400BARG 4-20MA
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IPSAT-G6000-5SENSATA / CYNERGY3Description: SENSATA / CYNERGY3 - IPSAT-G6000-5 - Drucksensor, 6 bar, Analog, Relativdruck, 28 VDC, G1/4 (1/4" BSP)
Druckmessung: Relativdruck
Nennspannung: 28
Versorgungsstrom: -
Anschlusstyp: G1/4 (1/4" BSP)
Betriebsdruck, max.: 6
Sensorausgang: Analog
Produktpalette: IPSAT Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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IPSAT-G6000-5Cynergy3Pressure Sensors - Industrial IS Pressure Transmitter 0-6barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSAT-G6000-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS 0-6BARG 4-20MA
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IPSAT-GM1P9-5Cynergy3Pressure Sensors - Industrial IS Pressure Transmitter -1to+9barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
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IPSAT-GM1P9-5Sensata-Cynergy3Description: PRESSURE TRANS -1-9BARG 4-20MA
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IPSE.4.62SM600Banner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IPSE.4.62SM600 GLASS FIBER
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IPSE.4.62SM600Banner Engineering CorporationDescription: FIBER IPSE.4.62SM600 GLASS FIBER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Multibeam Sensors
Accessory Type: Glass Fiber Optics
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IPSG1A11ABBFoot Switches FT SW GRY CVR FREE MOVEMENT
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IPSH4N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 90A TO251-3
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPSH5N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPSH6N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPSH6N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSL-A0500-5Sensata-Cynergy3Description: SENSOR PRESSURE 0-.5BARA 4-20MA
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Bag
Package / Case: Cylinder
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 7.25PSI (50kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.5%
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 9V ~ 32V
Port Size: Male - 1/4" (6.35mm) BSP
Applications: Industrial Automation
Port Style: Threaded
Maximum Pressure: 72.52PSI (500kPa)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPSL-A0500-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors Low Range Pressure Trans. 0-500mbarA 4-20mA DIN plug 1/4"BSP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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