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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFR9020PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.9A; Idm: -40A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.9A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020PBFVishayIRFR9020PBF Vishay MOSFETs Transistor P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.84 EUR
105+1.62 EUR
150+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 50V 9.9A
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+2.32 EUR
100+1.87 EUR
500+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.31 EUR
100+2.26 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.71 EUR
3000+1.65 EUR
6000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.9A; Idm: -40A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.9A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+0.39 EUR
441+0.38 EUR
448+0.36 EUR
455+0.33 EUR
463+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 434 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 23670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
10+3.36 EUR
50+2.56 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.13 EUR
60+2.82 EUR
75+2.21 EUR
100+1.92 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.9A; Idm: -40A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.9A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.58 EUR
6000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
448+0.38 EUR
455+0.37 EUR
463+0.36 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 448 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.13 EUR
60+2.76 EUR
75+2.13 EUR
100+1.82 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9020TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
87+2.67 EUR
118+1.82 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 50V 9.9A
auf Bestellung 3213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+2.49 EUR
100+2.01 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9022
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR2024TR IRFR9024 IRFR9024TRL IRFR9024TRR IRFR9024 TIRFR9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NIRTO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 120mOhm; 15A; 36W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024N JSMICRO TIRFR9024n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NHXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024N HXY MOSFET TIRFR9024n HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024N
Produktcode: 3622
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 9,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.4 EUR
10+0.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NCTRPBFIR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NPBFInternational RectifierDPAK=TO-252AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR9024NPBF - IRFR9024 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 40 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NPBF(Transistor)
Produktcode: 45697
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024NTR UMW TIRFR9024n UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRInfineon / IRMOSFETs MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 180mOhm; 8A; 15,6W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024NTR JGSEMI TIRFR9024n JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRInfineonTranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024N; IRFR9026NTR; IRFR9024NTR; IRFR9024N-GURT; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTRR; IRFR9024N; IRFR9024NTR TIRFR9024n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTR-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 53mOhm; 25A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024NTR-CN CHIPNOBO TIRFR9024n CNB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTR-MLMOSLEADERTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024NTR-ML MOSLEADER TIRFR9024n MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLIRC07+;
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
9000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 3362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
147+1.58 EUR
165+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBF
Produktcode: 222224
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 8439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.68 EUR
50+1.25 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 38, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 3362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
147+1.58 EUR
165+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
9000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC
auf Bestellung 4194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.26 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRLPBFInternational RectifierDPAK=TO-252AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFMOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 140000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.64 EUR
4000+0.55 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 7085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
4000+0.56 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 55473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.68 EUR
50+1.25 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
auf Bestellung 13165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.26 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 608 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
4000+0.55 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF
Produktcode: 23070
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 746 St.
  • 746 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.64 EUR
10+0.58 EUR
100+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.82 EUR
92+0.94 EUR
118+0.73 EUR
200+0.67 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.92 EUR
146+1.14 EUR
173+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 7085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.73 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.92 EUR
146+1.17 EUR
173+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF/IRIR08+;
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRRInfineon / IRMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.09 EUR
181+0.94 EUR
197+0.84 EUR
525+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.31 EUR
75+2.37 EUR
150+2.14 EUR
525+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.02 EUR
52+1.64 EUR
65+1.33 EUR
101+0.84 EUR
126+0.68 EUR
129+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,8 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 6 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
131+1.78 EUR
159+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+2.39 EUR
100+2.15 EUR
500+1.83 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.44 EUR
158+1.05 EUR
181+0.88 EUR
197+0.79 EUR
525+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.23 EUR
150+1.99 EUR
525+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
auf Bestellung 8483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.15 EUR
10+2.39 EUR
100+1.93 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.31 EUR
50+2.52 EUR
100+2.27 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024TRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9024TRPBF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.53 EUR
100+2.01 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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