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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.82 EUR
220+0.79 EUR
225+0.75 EUR
525+0.71 EUR
1050+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 3759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
75+1.71 EUR
150+1.54 EUR
525+1.3 EUR
1050+1.19 EUR
2025+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TF
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TFFAIRCHILDIRFR9110TF
auf Bestellung 4469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1164+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TFFairchild SemiconductorDescription: 100V P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 952 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR9110TF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TM
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFR9110TRPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRLIRSOT25
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.56 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.11 EUR
6000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRLPBFIR07+ CAN
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
10+2.32 EUR
100+1.78 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
12+1.76 EUR
100+1.37 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.95 EUR
236+0.73 EUR
245+0.69 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.23 EUR
100+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
80+2.9 EUR
120+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110TRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs P-CHANNEL 100-V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120HARRISIRFR9120
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120HARRISIRFR9120
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+2.5 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR91209AR3603HARRISIRFR91209AR3603
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR91209AR3603Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120N
Produktcode: 57603
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 6,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 480 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/27
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 256 St.
  • 256 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1 EUR
10+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NIRTO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NCPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NPBFInternational RectifierP-CH. 100V 6.6A DPAK=TO-252AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRUMWDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRJSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120NTR JSMICRO TIRFR9120n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRUMWDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
12+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 235mOhm; 8A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N UMW TIRFR9120n UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
601+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 601 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
132+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
601+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 601 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -6.5A 480mOhm 18nC
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.05 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 23119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.94 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 4051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
98+2.39 EUR
142+1.51 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
601+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 601 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 7644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
103+2.26 EUR
157+1.37 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.68 EUR
4000+0.62 EUR
6000+0.58 EUR
10000+0.52 EUR
20000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
114+1.51 EUR
174+0.96 EUR
306+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.68 EUR
4000+0.61 EUR
6000+0.56 EUR
10000+0.5 EUR
14000+0.48 EUR
20000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.99 EUR
64+1.34 EUR
100+0.86 EUR
200+0.76 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineonIRFR9120NTRPBF P-CH. 100V 6.6A DPAK=TO-252AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 7644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
103+2.26 EUR
157+1.37 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.94 EUR
128+1.32 EUR
180+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.4 EUR
113+1.49 EUR
114+1.42 EUR
174+0.89 EUR
306+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 3368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.67 EUR
50+1.24 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFR9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
178+1.31 EUR
182+1.18 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IRFR9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFR9120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 5.6 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR9120PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET
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IRFR9120PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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IRFR9120TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9120TRLIOR0029+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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