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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFR9214TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.62 EUR
92+1.58 EUR
100+1.48 EUR
200+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9214TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 2.7 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 250V 2.7A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
10+1.84 EUR
100+1.42 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.31 EUR
113+1.25 EUR
114+1.19 EUR
119+1.1 EUR
250+0.92 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.3 EUR
114+1.27 EUR
119+1.19 EUR
250+1.02 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9214TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 2.7 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRRIRTO-252
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220SiliconixTransistor P-MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,6A; 42W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR9220TRL; IRFR9220; IRFR9220TR; IRFR9220TRR; IRFR9220 TIRFR9220
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220onsemiMOSFETs TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 9265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.45 EUR
109+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishayMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.87 EUR
10+1.88 EUR
100+1.56 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.16 EUR
6000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 2669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.49 EUR
75+2.1 EUR
150+1.9 EUR
525+1.62 EUR
1050+1.5 EUR
2025+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.74 EUR
119+1.21 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.23 EUR
85+1.67 EUR
120+1.14 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.49 EUR
10+2.91 EUR
100+2.01 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 7833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.89 EUR
10+3.19 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.66 EUR
3000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRIR4
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.97 EUR
540+0.26 EUR
548+0.25 EUR
557+0.23 EUR
566+0.22 EUR
575+0.21 EUR
585+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.41 EUR
100+1.66 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.18 EUR
6000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 2383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.49 EUR
10+2.91 EUR
100+2.01 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
548+0.27 EUR
557+0.26 EUR
566+0.25 EUR
575+0.24 EUR
585+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 548 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 4466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.49 EUR
10+2.91 EUR
100+2.01 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 3976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.87 EUR
100+1.22 EUR
500+0.97 EUR
2000+0.83 EUR
4000+0.79 EUR
10000+0.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.33 EUR
100+1.65 EUR
125+1.55 EUR
250+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.4 EUR
4000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.03 EUR
8000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9220TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFInternational RectifierMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR9220TRPBF
Produktcode: 166997
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 3121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.49 EUR
10+2.91 EUR
100+2.01 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 12198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.8 EUR
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.41 EUR
100+1.66 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.49 EUR
10+2.91 EUR
100+2.01 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310
Produktcode: 31820
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 400
Id,A: 1.8
Rds(on),Om: 7
Ciss, pF/Qg, nC: 270/13
/: SMD
verfügbar: 5 St.
    1+0.98 EUR
    10+0.81 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310SiliconixP-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 75 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.22 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310SiliconixP-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 350 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.22 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    auf Bestellung 1917 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    112+1.31 EUR
    Mindestbestellmenge: 112 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1647 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    6+3.41 EUR
    75+1.56 EUR
    150+1.41 EUR
    525+1.19 EUR
    1050+1.09 EUR
    Mindestbestellmenge: 6 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 400V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 50W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
    auf Bestellung 16016 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    auf Bestellung 515 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    94+1.57 EUR
    108+1.34 EUR
    150+1.31 EUR
    Mindestbestellmenge: 94 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
    auf Bestellung 4721 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.46 EUR
    10+1.28 EUR
    100+1.02 EUR
    500+1.01 EUR
    6000+0.97 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    auf Bestellung 1917 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    112+1.31 EUR
    165+0.86 EUR
    166+0.82 EUR
    500+0.79 EUR
    1000+0.72 EUR
    Mindestbestellmenge: 112 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    auf Bestellung 1137 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    152+0.96 EUR
    153+0.95 EUR
    500+0.92 EUR
    1000+0.84 EUR
    Mindestbestellmenge: 152 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -400V
    Drain current: -1.1A
    Pulsed drain current: -7.2A
    Power dissipation: 50W
    Case: DPAK; TO252
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 7Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 13nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 515 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    44+1.63 EUR
    85+0.85 EUR
    102+0.71 EUR
    150+0.67 EUR
    Mindestbestellmenge: 44 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    auf Bestellung 1137 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    77+1.91 EUR
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    500+0.86 EUR
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    Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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    IRFR9310PBFIRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
    auf Bestellung 945 Stücke:
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    IRFR9310TR
    auf Bestellung 6800 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -400V
    Drain current: -1.1A
    Pulsed drain current: -7.2A
    Power dissipation: 50W
    Case: DPAK; TO252
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 7Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 13nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    auf Bestellung 780 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    6+3.41 EUR
    10+2.19 EUR
    100+1.49 EUR
    500+1.19 EUR
    Mindestbestellmenge: 6 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
    auf Bestellung 13684 Stücke:
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    1+3.47 EUR
    10+2.2 EUR
    100+1.46 EUR
    500+1.2 EUR
    1000+1.06 EUR
    3000+0.99 EUR
    6000+0.97 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
    auf Bestellung 18404 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.47 EUR
    10+2.2 EUR
    100+1.46 EUR
    500+1.24 EUR
    1000+1.21 EUR
    3000+1.01 EUR
    6000+0.99 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    auf Bestellung 280 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    6+3.41 EUR
    10+2.19 EUR
    100+1.49 EUR
    Mindestbestellmenge: 6 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 1525 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    128+1.14 EUR
    142+1 EUR
    145+0.94 EUR
    157+0.84 EUR
    250+0.79 EUR
    500+0.72 EUR
    1000+0.69 EUR
    Mindestbestellmenge: 128 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
    auf Bestellung 15505 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.15 EUR
    10+2.06 EUR
    100+1.41 EUR
    500+1.16 EUR
    1000+1.06 EUR
    2000+1.02 EUR
    4000+0.97 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVishayP-CH 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 1525 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    142+1.03 EUR
    145+1 EUR
    157+0.9 EUR
    250+0.87 EUR
    500+0.82 EUR
    1000+0.8 EUR
    Mindestbestellmenge: 142 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2000+1.1 EUR
    4000+1.02 EUR
    6000+0.98 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 400V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 50W
    Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: No
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
    SVHC: Lead (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 1013 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+1.03 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+1.03 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 400V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 50W
    Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: p-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
    SVHC: Lead (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 1013 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 2215 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    49+3.03 EUR
    67+2.16 EUR
    100+1.64 EUR
    500+1.04 EUR
    1000+0.93 EUR
    2000+0.87 EUR
    Mindestbestellmenge: 49 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    auf Bestellung 7731 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+3.68 EUR
    10+2.37 EUR
    100+1.61 EUR
    500+1.29 EUR
    1000+1.18 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
    Mounting: SMD
    Kind of channel: enhancement
    Type of transistor: P-MOSFET
    Kind of package: reel; tape
    Drain-source voltage: -400V
    Drain current: -1.1A
    Pulsed drain current: -7.2A
    Gate charge: 13nC
    Power dissipation: 50W
    On-state resistance: 7Ω
    Gate-source voltage: ±20V
    Polarisation: unipolar
    Case: DPAK; TO252
    auf Bestellung 2215 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    31+2.33 EUR
    40+1.8 EUR
    47+1.55 EUR
    65+1.1 EUR
    100+0.97 EUR
    500+0.77 EUR
    1000+0.68 EUR
    2000+0.63 EUR
    Mindestbestellmenge: 31 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR9310TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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