Produkte > BC5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BC517 | KEC | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517 | SLKOR | Transistor Darlington NPN; 20000; 625mW; 30V; 1A; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC517,112; BC517G; BC517-BK; BC517-CDI; BC517 SLKOR TBC517 SLK Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC517 (LEGACY FAIRCHILD) | onsemi | TO-92 REVERSE MOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 19218
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Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 Transitfrequenz fT: 220 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A Stromverstärkung h21: 30000 Bemerkung: Darlington Montage: THT | verfügbar: 25 St.
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| BC517,112 | NXP | NPN Darlington TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517,112 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON-Semiconductor | NPN 400mA 30V 625mW 220MHz BC517RL1G, BC517D74Z BC517 TBC517 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | auf Bestellung 1003 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC517-D74Z | onsemi | Darlington Transistors NPN DAR 30V 1.2A | auf Bestellung 15321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 88 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 3784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 5011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC517-D74Z | ONSEMI | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 1.2A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack | auf Bestellung 1579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC517-D74Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC517-D74Z - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 1.2 A, TO-92, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 1.2A Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517-D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC517/D74Z | auf Bestellung 8367 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC517D74Z | On Semiconductor | TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517G | onsemi | Darlington Transistors 1A 30V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517RL1 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517RL1G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517RL1G | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC517ZL1 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517ZL1G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517ZL1G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517_D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517_J35Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517_L34Z | ONS/FAI | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517_L34Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC517_Q | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN DAR 30V 1.2A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51E129B14-IYH-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 67WLCSP Power - Output: 6dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 67-WFBGA, WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 67-WLCSP (4.12x4.04) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC51E129B14-IYH-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 67WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 67-WFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Memory Size: 48kB RAM Type: TxRx + MCU Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 6dBm Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Data Rate (Max): 3Mbps Supplier Device Package: 67-WLCSP (4.12x4.04) RF Family/Standard: Bluetooth DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 3929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC51E130A14-IRK-E4 | CSR PLC | Description: IC BLUECORE5-HCI 84-VFBGA | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51E130A14-IRK-E4 | CSR PLC | Description: IC BLUECORE5-HCI 84-VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51E130A14-IRK-E4 | CSR PLC | Description: IC BLUECORE5-HCI 84-VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PA | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 1 A PNP medium power transistors | auf Bestellung 3065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC51PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC51PA-QX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC51PA-Q/SOT1061/HUSON3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PA-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC51PA-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC51PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 1.65 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC51XPAS-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC51PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC51PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC51PAS-Q/SOT1061/HU SON3 | auf Bestellung 2869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC51PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC51PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A DFN2020D-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PASX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC51PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A DFN2020D-3 | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC51PASX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061 45V 1A PNP MEDPWR BJT | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC51PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A DFN2020D-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC51PASX | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1650mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC51PASX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A 3HUSON Frequency - Transition: 145MHz Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A 3HUSON Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 145MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-10PA,115 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A PNP medium power transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-10PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC52-10PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-10PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1.65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC52PA-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC52-10PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC52-10PA-Q/SOT1061/HUSON3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC52-10PAS-Q/SOT1061/HUSON3 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC52-10PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC52-10PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC52-10PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC52xPAS-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC52-10PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC52-10PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PAS115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PASX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-10PASX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC52-10PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A DFN2020D-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 145MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PASX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC52-10PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A DFN2020D-3 Power - Max: 420 mW Mounting Type: Surface Mount Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 145MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PASX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A PNP medium power transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-10PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A DFN2020D-3 Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 145MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Bulk Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC52-10PASX | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 17148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC52-16PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC52-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC52-16PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC52-16PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-16PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-16PA,115 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-16PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC52-16PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-16PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC52-16PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-16PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1.65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC52PA-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC52-16PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC52-16PA-Q/SOT1061/HUSON3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-16PAS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC52-16PA - SMALL S Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-16PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC52-16PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC52-16PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC52-16PAS-Q/SOT1061 /HUSON3 | auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC52-16PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC52-16PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC52xPAS-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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