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Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.93 EUR

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BSO040N03MSGXUMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

auf Bestellung 337 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.02 EUR
10+	2.57 EUR
100+	1.74 EUR

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BSO040N03MSGXUMA1

N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5700 @ 15, Qg, нКл = 73 @ 10 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-DSO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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BSO040N03MSGXUMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

327+	1.59 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.27 EUR

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BSO040N03MSGXUMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R

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2500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO040N03MSGXUMA1

Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

auf Bestellung 43 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSO040N03MSGXUMA1

auf Bestellung 2500 Stücke:

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BSO051N03MS G

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V

auf Bestellung 2132 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	1.09 EUR
25+	0.84 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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BSO051N03MS G

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSO051N03MSGXUMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO051N03MSGXUMA1 - BSO051N03 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2500 Stücke:

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953+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 953 Stücke

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BSO051N03MSGXUMA1

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

989+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 989 Stücke

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BSO052N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO

Produkt ist nicht verfügbar

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BSO052N03S

auf Bestellung 5000 Stücke:

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BSO052N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO

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BSO052N03S .

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BSO064N03S

09+ SOP8

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BSO064N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO

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BSO064N03S .

auf Bestellung 2150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO064N03S(064N3S)

auf Bestellung 2150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO064N3S

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO065N03MSG

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

897+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 897 Stücke

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BSO065N03MSGXUMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO065N03MSGXUMA1 - BSO065N03 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1053+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 1053 Stücke

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BSO065N03MSGXUMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

746+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 746 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO065N03MSGXUMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO072N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO072N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO072N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO

auf Bestellung 2183 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

626+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 626 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO072N03S

Rochester Electronics, LLC

SOP-8

auf Bestellung 4455 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03NS3 G

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 893 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03NS3 G

MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3

auf Bestellung 1997 Stücke:

Lieferzeit 374-378 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03NS3E G

MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3

auf Bestellung 3039 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03NS3EGXT

Infineon technologies

auf Bestellung 1045 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03NS3EGXUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03NS3EGXUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03NS3EGXUMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO080P03NS3EGXUMA1 - BSO080P03 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

733+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 733 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03NS3GXUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03NS3GXUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03S

P-MOSFET 14.9A 30V 2.5W 0.08Ω BSO080P03S TBSO080p03s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03S

P-MOSFET 14.9A 30V 2.5W 0.08Ω BSO080P03S TBSO080p03s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03S H

MOSFETs P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P

auf Bestellung 4196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.46 EUR
2500+	1.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03SHXUMA1

Description: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.45 EUR
71+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03SHXUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V

auf Bestellung 2107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.93 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03SHXUMA1

Description: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03SHXUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03SNTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P03SNTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO080P3S

09+ SOP8

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO083N03MSG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1250+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1250 Stücke

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BSO083N03MSG

INF

08+

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO083N03MSGXUMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

auf Bestellung 2056 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.21 EUR
21+	1.02 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO083N03MSGXUMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

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BSO083N03N03MSG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1876+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1876 Stücke

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BSO094N03S

0648+

auf Bestellung 49000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO094N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO094N03S .

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO094N3S

SOP-8

auf Bestellung 228 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO104N03S

09+ SOP8

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO104N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO104N03S .

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO104N03S(104N3S)

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO104N3S

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO108N03MSC G

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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BSO110N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M

auf Bestellung 3249 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.56 EUR
5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO110N03MSG

INF

07+

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO110N03MSGXUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

auf Bestellung 2483 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	0.98 EUR
120+	0.71 EUR
151+	0.56 EUR
500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO110N03MSGXUMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

auf Bestellung 172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.2 EUR
16+	1.38 EUR
100+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO110N03MSGXUMA1

Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

auf Bestellung 5279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	3.4 EUR
118+	1.98 EUR
180+	1.19 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 74 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO110N03MSGXUMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO110N03MSGXUMA1

MOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M

auf Bestellung 27175 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.19 EUR
10+	0.9 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR
2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO110N03MSGXUMA1

Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

auf Bestellung 5279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.4 EUR
118+	1.98 EUR
180+	1.19 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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BSO119N03S

SOP8

auf Bestellung 15336 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO119N03S

MOSFET N-Ch 30V 9A DSO-8

Produkt ist nicht verfügbar

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BSO119N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO119N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

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BSO119N03S
Produktcode: 85857

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BSO119N3S

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO130N03MSG

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO130N03MSG

INF

08+

auf Bestellung 2190 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO130N03MSGXUMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

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BSO130N03MSGXUMA1
Produktcode: 168712

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO130N03MSGXUMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO130P03S

MOSFET P-Ch -30V -11.3A SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO130P03S

09+ SOP8

auf Bestellung 3100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO130P03S H

MOSFETs P-Ch -30V -11.3A DSO-8 OptiMOS P

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO130P03SHXUMA1

Description: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 9900 µohm, DSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: DSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1301 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.4 EUR
101+	2.3 EUR
137+	1.57 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO130P03SHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A Automotive 8-Pin DSO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO130P03SHXUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V

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BSO130P03SHXUMA1

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74+	3.4 EUR
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500+	1.34 EUR
1000+	1.25 EUR

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BSO130P03SHXUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V

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BSO130P03SHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A Automotive 8-Pin DSO T/R

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293+	0.6 EUR
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500+	0.46 EUR
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BSO130P03SNTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V

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BSO150N03

0408+

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BSO150N03

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete

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BSO150N03

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO150N03 - BSO150N03 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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834+	0.9 EUR

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BSO150N03MD G

MOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M

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10+	2.01 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.92 EUR
2500+	0.77 EUR
5000+	0.71 EUR

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BSO150N03MDGXUMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin DSO T/R

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BSO150N03MDGXUMA1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active

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2500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO150N03MDGXUMA1

Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3171 Stücke:

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145+	1.61 EUR
192+	1.12 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 99 Stücke

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BSO150N03MDGXUMA1