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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DTB113ZK F T146ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2962 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTB113ZK T146ROHMSOT23-G11
auf Bestellung 231000 Stücke:
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DTB113ZK T146 SOT23-G11ROHM
auf Bestellung 186000 Stücke:
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DTB113ZK T146 SOT23-G11ROHM
auf Bestellung 192000 Stücke:
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DTB113ZK-T146ROHMSOT23
auf Bestellung 11980 Stücke:
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DTB113ZKAROHMSOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
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DTB113ZKAT146
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB113ZKA\G11ROHMSOT-23
auf Bestellung 9100 Stücke:
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DTB113ZKFRAROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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DTB113ZKFRAT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB113ZKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTB113ZKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+0.83 EUR
372+0.62 EUR
700+0.31 EUR
962+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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DTB113ZKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTB113ZKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
303+0.83 EUR
372+0.62 EUR
700+0.31 EUR
962+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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DTB113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB113ZKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT PNP 50V 500MA
auf Bestellung 9751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTB113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+1 EUR
331+0.7 EUR
511+0.42 EUR
690+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB113ZKT147
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTB113ZS
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB113ZSTPDTB113ZSTP Транзисторы Digital
auf Bestellung 4719 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB113ZSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SPT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
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DTB114ROHMTO-92S
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
758+0.31 EUR
1870+0.11 EUR
1977+0.11 EUR
2097+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
944+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 944 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+0.52 EUR
758+0.31 EUR
1870+0.11 EUR
1977+0.11 EUR
2097+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 820 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1019+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1019 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTB114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTB114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP -500mA/-50V w/bias resistors
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
68+0.31 EUR
109+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114EKROHMSOT23
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114EK T146ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114EKA T146ROHM09+
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors Digital transistor (500mA/50V), Built-in bias resistor, NPN, 3-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTB114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTB114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 500MA
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DTB114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTB114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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DTB114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8806 Stücke:
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DTB114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTB114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTB114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB114E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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DTB114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.24 EUR
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DTB114GCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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DTB114GCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTB114GCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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343+0.73 EUR
347+0.67 EUR
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DTB114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
Resistors Included: R2 Only
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
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30+0.71 EUR
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DTB114GCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP, SOT-23, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTB114GCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTB114GCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5826 Stücke:
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343+0.73 EUR
347+0.67 EUR
365+0.58 EUR
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DTB114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
Resistors Included: R2 Only
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTB114GCT116ROHMDescription: ROHM - DTB114GCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB114G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.65 EUR
610+0.38 EUR
1000+0.21 EUR
1395+0.15 EUR
1590+0.13 EUR
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DTB114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTB114GCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP -500mA/-50V w/bias resistors
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
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6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DTB114GCT116ROHMDescription: ROHM - DTB114GCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB114G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+0.65 EUR
610+0.38 EUR
1000+0.21 EUR
1395+0.15 EUR
1590+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114GKROHM10+ SOT-23
auf Bestellung 90000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTB114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
222+1.05 EUR
327+0.65 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTB114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
222+1.05 EUR
327+0.65 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114GKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 500MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 500MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB114TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
701+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
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DTB120150UC-P5P-FLCUI Inc.Description: BATT CHARGER DESKTOP 12V 1.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB120225UC-P5P-FLCUI Inc.Description: BATT CHARGER DESKTOP 12V 2.25A
Produkt ist nicht verfügbar
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DTB120300UC-P5P-FLCUI Inc.Description: BATT CHARGER DESKTOP 12V 3A
Number of Cells: 1
Charge Current - Max: 3A
Voltage - Nominal: 12V
Power - Max: 36W
Battery Chemistry: Lead Acid
Termination Style: 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 12mm Female
Type: Desktop
Voltage - Input: 100 ~ 240VAC
Mounting Type: Desktop
Size / Dimension: 2.36" L x 1.48" W x 4.65" H (60.00mm x 37.50mm x 118.00mm)
Battery Cell Size: 12V
Features: Multiple Charge Modes
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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DTB122JKROHMSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTB122JKG3CROHM00+ SOT-23
auf Bestellung 63100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB122JKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 500MA TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB122JKT146ROHM
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB122JKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTB123ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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DTB123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTB123ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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DTB123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTB123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1764 Stücke:
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500+0.58 EUR
690+0.33 EUR
1108+0.19 EUR
1740+0.12 EUR
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DTB123ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP SOT-23 2.2kO Input Resist
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7+0.52 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.074 EUR
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DTB123ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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DTB123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTB123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.58 EUR
690+0.33 EUR
1108+0.19 EUR
1740+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
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DTB123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
127+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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DTB123ECT116Rohm SemiconductorDescription: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
35+0.61 EUR
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB123ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
631+0.27 EUR
1007+0.17 EUR
1356+0.12 EUR
1548+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 631 Stücke
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DTB123ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP -500mA/-50V w/bias resistors
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DTB123ECT116Rohm SemiconductorDescription: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB123ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTB123ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+0.46 EUR
631+0.26 EUR
1007+0.15 EUR
1356+0.11 EUR
1548+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
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DTB123ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 667 Stücke
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DTB123EKROHM11+ROHS SOT-23
auf Bestellung 47000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTB123EK T146ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 4938 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTB123EKAROHM09+
auf Bestellung 21038 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTB123EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SMT3
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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DTB123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTB123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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