Produkte > DXT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| DXT5551-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.25 W | auf Bestellung 5041 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA | auf Bestellung 16450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 155000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.25 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 410000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551P5Q-13 | Diodes Zetex | NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 405000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K | auf Bestellung 6153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551P5Q-13 | Diodes Zetex | NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.25 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 413993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT651-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 847500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT651-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN | auf Bestellung 4309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT651-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 5468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 847500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT651Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651Q-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT690BP5 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A | auf Bestellung 11727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT690BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 740 mW | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT690BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2911 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT690BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 740 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: SMD Pulsed collector current: 6A Current gain: 60...700 Kind of package: reel; tape Case: PowerDI®5 Frequency: 150MHz Collector current: 3A Manufacturer standard package: 5000pcs. Collector-emitter voltage: 45V Power dissipation: 3.2W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2911 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT690BP5Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: SMD Application: automotive industry Pulsed collector current: 6A Current gain: 60...700 Kind of package: reel; tape Case: PowerDI®5 Frequency: 150MHz Collector current: 3A Manufacturer standard package: 5000pcs. Collector-emitter voltage: 45V Power dissipation: 3.2W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 740 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT696BK-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.9W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT696BK-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT696BK-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 3.9 W | auf Bestellung 3495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT696BK-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.9W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT696BK-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 0.5A; 3.9W; DPAK,TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: SMD Power dissipation: 3.9W Collector-emitter voltage: 180V Current gain: 150...500 Quantity in set/package: 2500pcs. Frequency: 70MHz Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.5A Pulsed collector current: 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT696BK-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 3.9 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT751-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1000000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT751-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP | auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 57500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT751-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT751-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1000000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT751Q-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 1332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 59822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751Q-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 175000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT751Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 57500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT790AP5 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT790AP5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT790AP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A | auf Bestellung 8306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT790AP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3619 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT790AP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 107449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT790AP5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT790AP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT790AP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3619 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTA42-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA42-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTA42-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTA42-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo | auf Bestellung 3705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA92-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 151327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTA92-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTA92-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA92-13 | Diodes | PNP 300V 0.5A SOT89-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA92-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo | auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTA92-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 147500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTA92-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTA92-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTC3C100PD-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 100V POWERDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.47W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTC3C100PDQ-13 | Diodes Zetex | DXTC3C100PDQ-13 | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTC3C100PDQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | auf Bestellung 2401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTC3C100PDQ-13 | Diodes Zetex | DXTC3C100PDQ-13 | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTC3C100PDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 100V POWERDI5060-8 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.47W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 37098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN03060BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN03060BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN03060CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W | auf Bestellung 3870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN03060CFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN03060CFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 75hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 2.7W Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 6A Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTN03060CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN03060CFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTN03100CFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN03100CFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN06080BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTN06080BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07025BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3 Power - Max: 900 mW Frequency - Transition: 240MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX | auf Bestellung 15475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 2665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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