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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FF8MR12W1M1HB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+197.87 EUR
5+176.85 EUR
10+156.88 EUR
50+150.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FF8MR12W1M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 18-Pin Tray
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 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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FF8MR12W1M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+165.79 EUR
10+140.22 EUR
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FF8MR12W1M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 18-Pin Tray
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FF8MR12W1M1HB70BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF8MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+247.56 EUR
5+225.11 EUR
10+203.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FF8MR12W1M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
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1+207.41 EUR
10+183.24 EUR
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FF8MR12W1M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin Tray
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FF8MR12W1M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tray
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FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1Infineon TechnologiesFF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+182.71 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1Infineon TechnologiesFF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
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FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 100A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+187.22 EUR
30+146.57 EUR
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FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC 1200 V 8 mOhm Trench MOSFET in EasyDUAL
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+183.74 EUR
10+149.56 EUR
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FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1Infineon TechnologiesFF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+182.71 EUR
100+171.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FF8MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 9-Pin AG-EASY2BM-2 Tray
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 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FF8MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 60mA
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
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FF8MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
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FF8MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSP005341588
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 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FF8MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSP005341588
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 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FF8MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE LOW POWER EASY
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FF8MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+584.55 EUR
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