Produkte > FGP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| FGP15N60UNDF | onsemi | Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 82.4 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 9.3ns/54.8ns Switching Energy: 370µJ (on), 67µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 43 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 178 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP190/256X8 | 92 PLCC | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGP20B-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20B-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20BHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20BHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20C-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20C-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20CHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20CHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20D-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20D-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20D-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20DHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20DHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20N60UFD | onsemi | FSPIGBT TO220 20A 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20N60UFDTU | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/87ns Switching Energy: 380µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 63 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 165 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20N60UFDTU | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGP20N60UFDTU | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 123950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGP20N60UFDTU | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V, 20A Field Stop | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20N60UFDTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGP20N60UFDTU - IGBT, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 128298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGP20N6S2 | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 28A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 7.7ns/87ns Switching Energy: 25µJ (on), 58µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W | auf Bestellung 6889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGP20N6S2D | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Comp N-CH 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20N6S2D | onsemi | Description: IGBT 600V 28A 125W TO220AB Power - Max: 125 W Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Gate Charge: 30 nC Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Switching Energy: 25µJ (on), 58µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 7.7ns/87ns Supplier Device Package: TO-220-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP20N6S2D Produktcode: 186752
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGP3040G2 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGP3040G2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGP3040G2 | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 41A, 390V, N CHANNEL Packaging: Bulk | auf Bestellung 3193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGP3040G2-F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2827 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGP3040G2-F085 | onsemi | Description: IGBT 400V 41A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.8µs Gate Charge: 21 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP3040G2-F085 | ONS/FAI | ECOSPARK 2 IGNITION IGBT Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP3040G2-F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGP3040G2-F085 | onsemi | IGBTs ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP3040G2-F085 | ON Semiconductor | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGP30B-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30B-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30BHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30BHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30C-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30C-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30CHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30CHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30D-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30D-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30D-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30DHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30DHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30N6S2 | ON Semiconductor | Description: IGBT 600V 45A 167W TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP30N6S2D | ON Semiconductor | Description: IGBT 600V 45A 167W TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP3440G2 | Rochester Electronics, LLC | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 160 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP3440G2-F085 | ONS/FAI | ECOSPARK 2 IGNITION IGBT Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP3440G2-F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 26.9A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGP3440G2-F085 | onsemi | IGBTs ECOSPARK 2 IGNITION IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP3440G2-F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 26.9A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP3440G2-F085 | onsemi | Description: IGBT 400V 26.9A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 1µs/5.3µs Gate Charge: 24 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 26.9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 166 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP3440G2-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGP3440G2-F085 - IGBT, 26.9 A, 1.1 V, 166 W, 400 V, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V Verlustleistung: 166W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 26.9A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EcoSPARK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGP3440G2-F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 26.9A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGP40N6S2 | onsemi | Description: IGBT 600V 75A 290W TO220AB Supplier Device Package: TO-220-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power - Max: 290 W Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Gate Charge: 35 nC Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50B-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50B-E3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 5.0A 35ns Glass Passivated | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50B-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 5A GP20 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50B-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 5.0A 35ns Glass Passivated | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50BHE3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 5.0A 35ns Glass Passivated | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50BHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50BHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50BHE3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 5.0A 35ns Glass Passivated | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50C-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50C-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50CHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50CHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50D-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 5A GP20 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: GP20 Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50D-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 5A GP20 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50DHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP50DHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP5N60LS | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 600V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 12V, 14A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 4.3ns/36ns Switching Energy: 38µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18.3 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A Power - Max: 83 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP5N60LS | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP5N60LS | ON Semiconductor / Fairchild | IGBT Transistors 600V/5A Field Stop Low Vcesat | auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP5N60LS | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 600V 10A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 12V, 14A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 4.3ns/36ns Switching Energy: 38µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18.3 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A Power - Max: 83 W | auf Bestellung 17600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGP5N60LS | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGP5N60LS | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT FIELD STOP 600V 10A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 12V, 14A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 4.3ns/36ns Switching Energy: 38µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18.3 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A Power - Max: 83 W | auf Bestellung 19247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGP5N60UFDTU | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 600V 10A TO-220 Power - Max: 81 W Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Gate Charge: 19.5 nC Test Condition: 400V, 5A, 20Ohm, 15V Switching Energy: 75µJ (on), 59µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 6ns/44ns IGBT Type: Field Stop Supplier Device Package: TO-220-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGP90N30TU | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGPF10N60UNDF | onsemi | Description: IGBT NPT 600V 20A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220F-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 42 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGPF10N60UNDF | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 42W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGPF120N30TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGPF120N30TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGPF120N30TU | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 300V 120A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-220F-3 Gate Charge: 112 nC Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 3985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGPF15N60UNDF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGPF15N60UNDF - IGBT, 30 A, 2.2 V, 42 W, 600 V, TO-220F, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2 DC-Kollektorstrom: 30 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 42 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGPF15N60UNDF | onsemi | Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 82.4 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220F-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 9.3ns/54.8ns Switching Energy: 370µJ (on), 67µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 43 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 42 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGPF15N60UNDF | On Semiconductor | IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGPF15N60UNDF Produktcode: 148316
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGPF15N60UNDF | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 42000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGPF15N60UNDF | ON Semiconductor | auf Bestellung 40840 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGPF15N60UNDF | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGPF30N30 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGPF30N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGPF30N30 | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 300V, N-CHANNEL Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220F-3 Gate Charge: 39 nC Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 46 W | auf Bestellung 2468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGPF30N30DTU | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 300V 46W TO220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGPF30N30TDTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGPF30N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGPF30N30TDTU | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 300V, N-CHANNEL, TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220F-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns Test Condition: 200V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 65 nC Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 44.6 W | auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGPF30N30TTU | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 300V, N-CHANNEL, TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220F-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns Test Condition: 200V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 65 nC Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 44.6 W | auf Bestellung 5305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGPF30N30TTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGPF30N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGPF30N45TTU | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 450V 50.4W TO220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
