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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQI7N10TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N60B
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N60TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N60TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N60TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
10+3.89 EUR
100+2.82 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N80TUonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+5.28 EUR
25+5.13 EUR
100+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N80TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26.4A
Gate charge: 52nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7N80TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI7P06TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60Consemi / FairchildMOSFETs QFC 600V 1.2OHM I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60CTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+3.02 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60CTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+3.02 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60CTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+4.55 EUR
25+4.27 EUR
100+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60CTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+3.02 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
auf Bestellung 24810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
264+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+3.02 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60CTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8N60CTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+3.02 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.42 EUR
10000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI8P10TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI9N08LTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI9N08TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI9N15TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI9N25CTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
202+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI9N50CTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 39199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI9N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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