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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NP3400B1A2CAMCC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3400BC2C
auf Bestellung 219 Stücke:
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NP3400PRCEAMCC07+Йў?
auf Bestellung 1 Stücke:
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NP3404-BB1CAMCCBGA
auf Bestellung 1128 Stücke:
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NP3404-BB1C-I
auf Bestellung 190 Stücke:
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NP3404-BB2CAMCCBGA
auf Bestellung 17 Stücke:
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NP3404-BB3CAMCCBGA
auf Bestellung 17 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3404-BB3C-I
auf Bestellung 5 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3450-BA1CAMCCBGA
auf Bestellung 176 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3450-BA2C
auf Bestellung 121 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3454-BA1CAMCCBGA
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3454-BA2CAMCCBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
nP3454-BA2C-300
auf Bestellung 859 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3454-BA2C-350AppliedMicro2 GE + 2 GE Integrated Network Processor (NPU, TM, Switching, MACs) (350 Mh NP3454
Anzahl je Verpackung: 21 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP34N03ILD
auf Bestellung 200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP34N055HHE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP34N055HLE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP34N055IHE
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP34N055SHE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP34N055SHE-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP34N055SLE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP34N055SLE-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP34N055SLE-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 34A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SAT3G
auf Bestellung 245000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SAT3GonsemiDescription: THYRISTOR 320V 50A DO214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 320V
Voltage - Breakover: 400V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 28pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SAU
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SB1T3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 80A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SBMCT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 250A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SBT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 80A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SBT3G
auf Bestellung 245000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SBT3GRochester Electronics, LLCDescription: SILICON SURGE PROTECTOR
auf Bestellung 87500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SBT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NP3500SBT3G - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 77500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SCGON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 100A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SCMCT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 400A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SCT3GRochester Electronics, LLCDescription: SILICON SURGE PROTECTOR
auf Bestellung 52240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SCT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 320V 100A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP3500SCT3G
auf Bestellung 245000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP351-14422-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 144 PIN MBGA 0.80 MM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP351-17635-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 176 PIN MBGA 0.80 MM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP351-18464-1-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 184 PIN MGA 0.80 MM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP351-400-594-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 400 PIN BGA 0.80 MM
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP351-400-594-2Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 400 PIN BGA, 0.80 MM 2.2mm lead length
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-115523Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 1155 PIN MBGA 1.00MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-115523-AC19415Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 1156 PIN MBGA 1.00MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-1296-52Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 1296 PIN MBGA 1.00MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-1521-53Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 1521 PIN MBGA 1.00MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-165-109Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 165 PIN MBGA 1.00 MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-165-137Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 165 PIN BGA 1.00 MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-1849-35Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 1849 PIN MBGA 1.00MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-196-125Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 196 PIN MBGA 1.00 MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-209-60-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 209 PIN MBGA 1.00 MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-256-81-1Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 256 PIN MBGA 1.00 MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-256-81-1Yamaichi ElectronicsDescription: 256 PIN BGA, 1.00MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-324-116Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 324 PIN MBGA 1.00 MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-484-98Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 484 PIN MBGA 1.00 MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP352-676-103Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 676 PIN MBGA, 1.00MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35415
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35N04YLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35N04YLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 35A 9.7mohm SON-8 5x6
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+2.56 EUR
100+1.98 EUR
250+1.96 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35N04YLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35N04YUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35N04YUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 35A 10mohm SON-8 5x6
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35N04YUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.42 EUR
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35N04YUG-E1-AYRenesasHSON 8/MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP35N04
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35N055YUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs POWER AUTO MOS 55V, 6.7mohm, HSON
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35N055YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP35N055YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP364-01649Yamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 16 PI QFN 1.00 MM W/o Center Grnd Pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055HHE
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055HIL
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055HLE-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 55V 36A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-251
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+3.47 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055HLE-AYRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
150+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055ILE
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055ILE/JM-U
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055SHE
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055SHE-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 36A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055SLE
auf Bestellung 5555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055SLE-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 36A TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N055SLE-E1-AYRenesasTO252/N-CHANNEL POWER MOSFET POWERMOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36N10SDE
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04KDG
auf Bestellung 4784 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -40V -36A 17mohm TO-252 / DPAK
auf Bestellung 1289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.88 EUR
100+2.68 EUR
500+2.05 EUR
800+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04KDG-E1-AYRenesasTO263AB/36 A, 40 V, 0.0235 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET NP36P04
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04SDG
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04SDG-E1
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
10+3.18 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04SDG-E1-AYRenesasto-252/SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET POWERMOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.46 EUR
5000+1.37 EUR
7500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P04SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -40V -36A 17mohm TO-252 / DPAK
auf Bestellung 2847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.14 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.59 EUR
2500+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.96 EUR
1600+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P06KDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP36P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.0295 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.45 EUR
60+3.9 EUR
100+2.49 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P06KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -60V -36A 29.5mohm TO-263 / D2PAK
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+3.72 EUR
100+2.57 EUR
500+1.98 EUR
800+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
10+3.71 EUR
100+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P06SLGRENESAS 12+ SOT-252
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P06SLG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP36P06SLG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
109+1.98 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P06SLG-E1-AY
Produktcode: 211828
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P06SLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -60V -36A 30mohm TO-252 / DPAK
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
2500+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP36P06SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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