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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTNS3190NZT5GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3190NZT5GonsemiMOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA 1.4
auf Bestellung 6653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.09 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3190NZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6234243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3190NZT5GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3190NZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 12735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3193NZT5GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V
auf Bestellung 34572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3193NZT5GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.17 EUR
16000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3193NZT5GONN
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3193NZT5GonsemiMOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA
auf Bestellung 33702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.93 EUR
100+0.69 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.48 EUR
8000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A65PZT5GONN
auf Bestellung 5455 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A65PZT5GonsemiMOSFET PFET SOT883 20V 235MA
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A65PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A65PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A65PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V
auf Bestellung 315809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3957+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3957 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A65PZT5GHWONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3A65PZT5GHW - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A65PZT5GHWonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A67PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V SOT883
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
auf Bestellung 35963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4157+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A67PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V SOT883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A67PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A67PZT5GonsemiMOSFET PFET SOT883 20V 281MA 1.3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A67PZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3A67PZT5G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A91PZT5GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.223A 3-Pin XLLGA T/R
auf Bestellung 6244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1449+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A91PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 121mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
auf Bestellung 352961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1346+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A91PZT5GON SemiconductorMOSFET PFET XLLGA3 20V 2A 1.6OHM
auf Bestellung 6482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A91PZT5GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.223A 3-Pin XLLGA T/R
auf Bestellung 34610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1449+0.45 EUR
10000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A91PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 121mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A91PZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121mW
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 359840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A91PZT5GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.223A 3-Pin XLLGA T/R
auf Bestellung 206230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1449+0.45 EUR
10000+0.39 EUR
100000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A91PZT5GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.223A 3-Pin XLLGA T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1449+0.45 EUR
10000+0.39 EUR
100000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A91PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 121mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A91PZT5G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 223
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A92PZT5GonsemiMOSFET PFET XLLGA3 20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A92PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1072000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
866+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 866 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A92PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 256000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.71 EUR
16000+0.69 EUR
24000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3A92PZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3A92PZT5G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 816000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1041+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1041 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS3C68NZT5GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL SMALL SIGNAL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2965+0.21 EUR
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NTNS3C94NZT5GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 12V 384MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 384mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 9.6 V
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NTNS3C94NZT5GON SemiconductorMOSFET 12V 480 mo SMALL SIGNAL MOSFET
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NTNS3CS68NZT5GonsemiDescription: 4.3A, 20V, 0.06OHM, 2-ELEMENT, N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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1652+0.32 EUR
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NTNS3CS68NZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3CS68NZT5G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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8000+0.33 EUR
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NTNS3CS94NZT5GonsemiDescription: 2.8A, 20V, 0.09OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2420+0.25 EUR
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NTNS41006PZTCGonsemiDescription: NTNS41006 - SINGLE P?CHANNEL SMA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2959+0.19 EUR
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NTNS41S006PZTCGonsemiDescription: NTNS41S006PZ - MOSFET 3-SON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2959+0.19 EUR
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NTNS4C69NTCGonsemiDescription: MOSFET N-CH SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 178mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTNS4CS69NTCGonsemiDescription: NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
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NTNS4CS69NTCGonsemiMOSFETs TRENCH 6 30V NFET
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NTNS4CS69NTCGON SemiconductorTRENCH 6 30V NFET
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NTNS4CS69NTCGON SemiconductorTRENCH 6 30V NFET
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NTNS4CS69NTCGFairchild SemiconductorDescription: NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
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NTNS4CS69NTCGON SemiconductorTRENCH 6 30V NFET
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NTNTP30N06LG
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NTNUS3171PZT5G---MOSFET P-CH 20V 0.15A SOT-1123 Транзистори
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NTNUS3171PZT5GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
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NTNUS3171PZT5GON Semiconductor
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NTNUS3171PZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
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500+0.64 EUR
544+0.43 EUR
758+0.29 EUR
1409+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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NTNUS3171PZT5GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
auf Bestellung 324166 Stücke:
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NTNUS3171PZT5GON SemiconductorMOSFET T1 20V P-CH SOT-1123
auf Bestellung 3882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNUS3171PZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 7235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
387+0.64 EUR
544+0.43 EUR
758+0.29 EUR
1409+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
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NTNZYY01GLITE
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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