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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| RQ6L020SPTCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V | auf Bestellung 4024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ6L020SPTCR | ROHM | Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm | auf Bestellung 12548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ6L020SPTCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 1304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ6L020SPTCR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ6L020SPTCR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 3371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ6L020SPTCR | ROHM | Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SMD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm | auf Bestellung 12548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ6L020SPTCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V 2A 1.25W SOT-457T | auf Bestellung 17938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ6L035ATTCR | ROHM | Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.078 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ6L035ATTCR | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ6L035ATTCR | ROHM | Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.078 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 96 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ6L035ATTCR | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V | auf Bestellung 9923 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ6P015SPTR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ6P015SPTR | ROHM Semiconductor | MOSFETs SOT457 100V 1.5A P-CH MOSFET | auf Bestellung 6291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ6P015SPTR | ROHM | Description: ROHM - RQ6P015SPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm | auf Bestellung 3482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ6P015SPTR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V | auf Bestellung 12134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ6P020ATTCR | Rohm Semiconductor | Description: PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ6P020ATTCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ6P020ATTCR | Rohm Semiconductor | Description: PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA | auf Bestellung 4710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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