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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
VT6212LGABNEW
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VT6214LVIAQFP
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VT6214L-128LQFP
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VT6214LG
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VT62A168VLSIPLCC52
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VT62L128168S-55LLI
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VT6301SVIA
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VT6301SCD
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VT6302
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VT6304
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VT6305VIA99+
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VT6306FLEX07+
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VT6306CD
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VT6306GVIAO750
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VT6306LVT02+
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VT6307VIAQFP-100
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VT6307/CD
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VT6307GVIA
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VT6307LVIA07+
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VT6307L-128LFP
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VT6307SVIA0330+
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VT6308PVIA
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VT6308P CDVIAQFP
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VT6308PCD
auf Bestellung 58 Stücke:
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VT6308PG
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VT6308PGCD
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VT630A
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VT630BVT09+
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VT6311SVIA
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VT6312
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VT6315NG
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VT6325
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6401017313MasterVisionDescription: CORK BULLETIN ENCLOSED CABINET,
Packaging: Box
Color: Natural
Material: Cork
Type: Cork Bulletin Enclosed Cabinet
Specifications: Hardware Included
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
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1+1323.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6410VIA
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VT6410/CD
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VT6415
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6421N/A
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VT6421A-G
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VT6421LVIA03+ QFP
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VT6424
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VT6508
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VT6508XVIA03+
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VT6508X1VIA
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VT6510VIA
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VT6510BVIAO351
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VT6512
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VT6518CVIA03+
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VT6524VIA03+
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VT6526ZTE
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VT6526-CF
auf Bestellung 344 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6526-CF-LF
auf Bestellung 21 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6526A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6526BQFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6526C
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6526GVIA05+ TQFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6527
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6528VIAO646
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6529G
auf Bestellung 21 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6530G
auf Bestellung 9 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6563FVT
auf Bestellung 578 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT66
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6635VIA06+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6655
auf Bestellung 4589 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6655G
auf Bestellung 900 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6656
auf Bestellung 339 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT66A20S
auf Bestellung 900 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT67
auf Bestellung 17 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6J1T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
auf Bestellung 2510 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6J1T2CRROHM SemiconductorMOSFET 1.2V Drive Pch+Pch MOSFET
auf Bestellung 9287 Stücke:
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4+1.05 EUR
10+0.81 EUR
100+0.46 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6J1T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6J1T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6K1T2CR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6K1T2CRROHM SemiconductorMOSFETs SMALL SIGNAL TR MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6K1T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
auf Bestellung 19446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6K1T2CRROHMDescription: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.99 EUR
337+0.69 EUR
541+0.39 EUR
788+0.27 EUR
1208+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6K1T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6K1T2CRROHMDescription: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.99 EUR
337+0.69 EUR
541+0.39 EUR
788+0.27 EUR
1208+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1 FU7T2CRROHMSOT26
auf Bestellung 7194 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1 T2CRROHMSOT26
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1T2CRROHMDescription: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: VMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 120mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 67311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
36+0.6 EUR
100+0.33 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1T2CRROHMDescription: ROHM - VT6M1T2CR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1T2CRROHM SemiconductorMOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
auf Bestellung 80369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.6 EUR
100+0.35 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6M1T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6T11T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: VMT6
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
36+0.6 EUR
100+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6T11T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP+PNP -20VCEO-0.2A VMT6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6T11T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Supplier Device Package: VMT6
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6T12T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
auf Bestellung 7875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
33+0.65 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6T12T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6T12T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP+PNP -50VCEO-0.1A VMT6
auf Bestellung 18324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.24 EUR
8000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VT6T1T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Supplier Device Package: VMT6
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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VT6T1T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP+PNP -20VCEO-0.2A VMT6
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1000+0.51 EUR
2500+0.24 EUR
8000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
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VT6T1T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Supplier Device Package: VMT6
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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VT6T2T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
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VT6T2T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
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VT6X11T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN+NPN 20VCEO 0.2A VMT6
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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VT6X11T2RRohm SemiconductorDescription: NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
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VT6X11T2RRohm SemiconductorDescription: NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
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100+0.44 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
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VT6X12T2RROHMDescription: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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228+1.09 EUR
313+0.74 EUR
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603+0.36 EUR
1087+0.2 EUR
5000+0.19 EUR
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VT6X12T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN+NPN 50VCEO 0.1A VMT6
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