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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ZVP2110GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -310mA; Idm: -3A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -310mA
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.63 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
auf Bestellung 7989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.9 EUR
10000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.02 EUR
2000+0.94 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2110GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120AZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120ASTOA
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120ASTOADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 120MA E-LINE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120ASTOBDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 120MA E-LINE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120ASTZDiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120ASTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120ASTZDIODES INCORPORATEDCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -120mA; Idm: -1.2A; 700mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.12A
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120ASTZDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP2120GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GTAZETEX
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -200mA; Idm: -1.2A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.2A
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 200V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GTA
Produktcode: 176577
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP2120GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 200V
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.51 EUR
100+0.99 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP2120GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ZETEXSOT23
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin E-Line
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 60V
auf Bestellung 10491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.48 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3306A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 14 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
143+1.62 EUR
203+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ADIODES INCORPORATEDCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.16A; 0.625W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.16A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.58 EUR
92+0.93 EUR
123+0.69 EUR
138+0.62 EUR
200+0.56 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin E-Line
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.49 EUR
100+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306A
Produktcode: 129099
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ASTOA
auf Bestellung 25080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ASTOADiodes IncDescription: MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ASTOBDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 160MA E-LINE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ASTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 160MA E-LINE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306ETAZETEXSOT-23.
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3306F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
191+1.23 EUR
241+0.89 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3306F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
191+1.23 EUR
241+0.89 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 60V
auf Bestellung 7637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.56 EUR
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes Inc./Zetexsot23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
476+0.37 EUR
545+0.31 EUR
611+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 476 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
auf Bestellung 18736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTA
Produktcode: 53873
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
441+0.39 EUR
474+0.36 EUR
476+0.35 EUR
545+0.29 EUR
548+0.27 EUR
611+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.73 EUR
290+0.58 EUR
618+0.26 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTA/MLZETEX
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTASOT23-MLZETEX
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTC
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306FTC(ML)
auf Bestellung 16800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3306TTA
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 34830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
4000+0.46 EUR
8000+0.43 EUR
12000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310A
Produktcode: 44420
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3310A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 mA, 20 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
180+1.3 EUR
258+0.83 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.14A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
auf Bestellung 5553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.21 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ADiodes Inc./ZetexMOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.14A 3-Pin E-Line
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ASTOADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ASTOADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ASTOBDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ASTOBDiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ASTZDiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310ASTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310FDiodes IncorporatedMOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3310F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
228+1.02 EUR
331+0.65 EUR
500+0.63 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310FZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3310F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
228+1.02 EUR
331+0.65 EUR
500+0.63 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310FQTA-52Diodes Zetex100V P-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZVP3310FQTA-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
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ZVP3310FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZVP3310FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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ZVP3310FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R
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ZVP3310FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -140mA; Idm: -1.2A; 0.33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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95+0.9 EUR
131+0.65 EUR
161+0.54 EUR
220+0.39 EUR
240+0.36 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
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ZVP3310FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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ZVP3310FTADiodes IncorporatedMOSFETs P-Chnl 100V
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10+0.94 EUR
100+0.61 EUR
250+0.6 EUR
500+0.5 EUR
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ZVP3310FTA
Produktcode: 196658
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