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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STB6011EICTVS Diode Single Bi-Dir 8.92V 600W 2-Pin SMB
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STB6011EICTVS Diode Single Bi-Dir 8.92V 600W 2-Pin SMB
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STB6012EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 9.72V 600W 2-Pin SMB
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STB6012EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 9.72V 600W 2-Pin SMB
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STB6013EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 10.5V 600W 2-Pin SMB
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STB6013EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 10.5V 600W 2-Pin SMB
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STB6015EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 12.1V 600W 2-Pin SMB
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STB6015EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 12.1V 600W 2-Pin SMB
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STB6020EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 16.2V 600W 2-Pin SMB
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STB6020EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 16.2V 600W 2-Pin SMB
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STB6022EICTVS Diode Single Bi-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
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STB6022EICTVS Diode Single Bi-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
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STB6024EICTVS Diode Single Bi-Dir 19.4V 600W 2-Pin SMB
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STB6030EICTVS Diode Single Bi-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
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STB6030EICTVS Diode Single Bi-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
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STB6043EICTVS Diode Single Bi-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
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STB6043EICTVS Diode Single Bi-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
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STB6045CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 60A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.56V
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 60A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 0.32kA
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STB6056EICTVS Diode Single Bi-Dir 45.4V 600W 2-Pin SMB
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3000+0.25 EUR
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STB6056EICTVS Diode Single Bi-Dir 45.4V 600W 2-Pin SMB
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STB6068EICTVS Diode Single Bi-Dir 55.1V 600W 2-Pin SMB
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STB6068EICTVS Diode Single Bi-Dir 55.1V 600W 2-Pin SMB
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STB606IST07+ TO-263/D2-PAK
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STB606IEICTVS Diode Single Bi-Dir 5.5V 600W 2-Pin SMB
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STB606IEICTVS Diode Single Bi-Dir 5.5V 600W 2-Pin SMB
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STB6075EICTVS Diode Single Bi-Dir 60.7V 600W 2-Pin SMB
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STB6075EICTVS Diode Single Bi-Dir 60.7V 600W 2-Pin SMB
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STB607FEICTVS Diode Single Bi-Dir 6.05V 600W 2-Pin SMB
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3000+0.25 EUR
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STB607FST07+ TO-263/D2-PAK
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STB607FEICTVS Diode Single Bi-Dir 6.05V 600W 2-Pin SMB
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STB60B1EICTVS Diode Single Bi-Dir 89.2V 600W 2-Pin SMB
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STB60B1EICTVS Diode Single Bi-Dir 89.2V 600W 2-Pin SMB
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STB60B3EICTVS Diode Single Bi-Dir 106V 600W 2-Pin SMB
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STB60B3EICTVS Diode Single Bi-Dir 106V 600W 2-Pin SMB
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3000+0.25 EUR
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STB60B7EICTVS Diode Single Bi-Dir 138V 600W 2-Pin SMB
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3000+0.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60D0EICTVS Diode Single Bi-Dir 162V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.25 EUR
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STB60D0EICTVS Diode Single Bi-Dir 162V 600W 2-Pin SMB
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STB60G0EICTVS Diode Single Bi-Dir 324V 600W 2-Pin SMB
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STB60G0EICTVS Diode Single Bi-Dir 324V 600W 2-Pin SMB
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3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STB60N03L-10ST07+ TO-263/D2-PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60N06-14ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB60N06HDT4
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STB60N06HDT4onsemiDescription: RF MOSFET 60V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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200+2.75 EUR
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STB60N55F3STMicroelectronicsMOSFET STripFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NB02T4
auf Bestellung 60800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STB60NE03L-10ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NE03L-10T4STMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NE03L-12ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NE06-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NE06-16STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NE06-16T4STMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NE06L-16
Produktcode: 169331
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STB60NE06L-16ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NE06L-16T4STM07+ TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NE06L-16T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NE06L-16T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF03
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 3402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
200+2.7 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LT4STMTO-263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
65+2.68 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 6308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.45 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.8 EUR
5000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 3380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.68 EUR
55+4.27 EUR
65+3.32 EUR
200+2.7 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LT4
Produktcode: 62112
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 60 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2000/35
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.55 EUR
10+3.59 EUR
50+2.75 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STB60NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.4 EUR
36+2.4 EUR
43+2.02 EUR
50+1.78 EUR
100+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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STB60NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
65+2.62 EUR
100+1.8 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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STB60NF06LT4G
auf Bestellung 790 Stücke:
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STB60NF06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
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STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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113+1.55 EUR
115+1.46 EUR
117+1.39 EUR
119+1.31 EUR
250+1.24 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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STB60NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.44 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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STB60NF06T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.8 EUR
44+1.94 EUR
53+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
115+1.5 EUR
117+1.44 EUR
119+1.39 EUR
250+1.34 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 3154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.89 EUR
50+2.19 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF10-1
auf Bestellung 5331 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF10-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF10T4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NH02LT4ST0336+
auf Bestellung 18558 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB60NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB6100ST2010+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB6100T
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB6511EICTVS Diode Single Bi-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB6511EICTVS Diode Single Bi-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB6512EICTVS Diode Single Bi-Dir 10.2V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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