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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TSM108XST09+ SOP14
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109AIST09+
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109AIDSTMicroelectronicsDescription: IC COMPARATOR 2 W/VOLT REF 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: with Voltage Reference
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Current - Quiescent (Max): 2.5mA
Voltage - Input Offset (Max): 5mV @ 5V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Current - Output (Typ): 20mA @ 5V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109AIDSTMicroelectronicsAnalog Comparators Dual Comp/Volt Ref
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109AIDTSTMicroelectronicsDescription: IC COMPARATOR 2 W/VOLT REF 8SOIC
Current - Output (Typ): 20mA @ 5V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Voltage - Input Offset (Max): 5mV @ 5V
Current - Quiescent (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: with Voltage Reference
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109AIDT
Produktcode: 84587
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109AIDTSTMicroelectronicsAnalog Comparators Dual Comp/Volt Ref
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109AIDTSTMicroelectronicsDescription: IC COMPARATOR 2 W/VOLT REF 8SOIC
Current - Output (Typ): 20mA @ 5V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Voltage - Input Offset (Max): 5mV @ 5V
Current - Quiescent (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: with Voltage Reference
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109IST09+
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109IDSTMicroelectronicsDescription: IC COMPARATOR/VREF DUAL 8-SOIC
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109IDSTMicroelectronicsAnalog Comparators Dual Comp/Volt Ref
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109IDTSTMicroelectronicsDescription: IC COMPARATOR 2 W/VOLT REF 8SOIC
Current - Output (Typ): 20mA @ 5V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Voltage - Input Offset (Max): 5mV @ 5V
Current - Quiescent (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: with Voltage Reference
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109IDT
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109IDTSTMicroelectronicsDescription: IC COMPARATOR 2 W/VOLT REF 8SOIC
Current - Output (Typ): 20mA @ 5V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Voltage - Input Offset (Max): 5mV @ 5V
Current - Quiescent (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: with Voltage Reference
Number of Elements: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109IDTSTMicroelectronicsAnalog Comparators Dual Comp/Volt Ref
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM109TR1
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10K
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N06CPTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 5Amp N channel Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 10A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 5Amp N channel Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N60CITaiwan SemiconductorMOSFETs 600V 4,75Amp N channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N60CI C0Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A ITO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ITO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N60CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A ITO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N60CZTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V 10Amp N channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N60CZ C0Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N60CZ C0Taiwan SemiconductorLDO Voltage Regulators
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N60CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 10Amp N channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N60CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N80CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2336 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N80CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V 9.5A Single N-C hannel Power MOSFET
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N80CI C0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 48W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 48W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.05Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N80CZ C0Taiwan SemiconductorMOSFET 800V 10A N Channel Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N80CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2336 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N80CZ C0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 290W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 290W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.05Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10N80CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V, 9.5A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10NB60CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10NB60CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10NC60CFTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10NC60CF C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10NC60CF C0GTaiwan SemiconductorTSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube - Arrow.com
auf Bestellung 3998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.58 EUR
76+2.24 EUR
106+1.54 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10NC60CF C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10NC65CFTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10NC65CF C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 50 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10NC65CF C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 650V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10ND60CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10ND65CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 650V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.46 EUR
10+7.63 EUR
100+6.24 EUR
500+5.32 EUR
1000+4.8 EUR
4000+4.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM10S1CD
auf Bestellung 3520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM11001FSV
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110CNSTM2003
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
auf Bestellung 7240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V 54A 11mOhm N-Chan Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
16+1.39 EUR
100+1.08 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCRTaiwan SemiconductorLDO Voltage Regulators 40V, 54A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54A 8-Pin PDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 8142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.33 EUR
100+0.93 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.6 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.25 EUR
116+1.86 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54A 8-Pin PDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
auf Bestellung 15996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.43 EUR
72+3.25 EUR
116+1.86 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 23W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Power dissipation: 23W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LCV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 20 V
auf Bestellung 8845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
12+1.88 EUR
100+1.46 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NB04LDCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NM10LCP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 47A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252A
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NM10LCP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 47A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+1.98 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.9 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM110NM10LCP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 47A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252A
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM111CST01+ SOP
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM111CD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM111CDSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR TRPL V/C 20-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM111CDTSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR 3 CHANNEL 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Multi-Voltage Supervisor
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 3
Reset Timeout: 100ms Minimum
Voltage - Threshold: 4V, 6.1V, 14.2V
Supplier Device Package: 20-SO
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM111CDT
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM111CM
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM111CNSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR 3 CHANNEL 20DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Supplier Device Package: 20-DIP
Voltage - Threshold: 4V, 6.1V, 14.2V
Reset Timeout: 100ms Minimum
Number of Voltages Monitored: 3
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Type: Multi-Voltage Supervisor
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM111CNST06+ DIP-20;
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM111ID
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1121IDSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING MULT OTPT 14SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1121INSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14-DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1121IN
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM112A1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; SPDT; ON-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Mounting hole dimensions: Ø6.2mm
Related items: TSPC05-M
Type of switch: toggle
Body colour: black
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Operating temperature: -25...85°C
Contacts configuration: SPDT
Stable positions number: 1
Leads: for soldering
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Kind of toggle: round
Switching method: ON-(ON)
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Max. contact resistance:: 20mΩ
Electrical life: 20000 cycles
Number of positions: 2
Actuator material: metal
Knob height: 11mm
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
52+1.65 EUR
63+1.37 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM112A1---Тумблер 250 V 3A Перемикачі та вимикачі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM112A1NinigiТумблер; 1; SPDT; ON-(ON); 3A/250ВAC; Выв: под пайку Перемикачі та вимикачі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM112A1/TCNINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; SPDT; ON-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Mounting hole dimensions: Ø6mm
Related items: TSPC05-M
Type of switch: toggle
Body colour: black
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Operating temperature: -25...85°C
Contacts configuration: SPDT
Stable positions number: 1
Leads: for soldering
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Kind of toggle: round
Switching method: ON-(ON)
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Max. contact resistance:: 20mΩ
Electrical life: 20000 cycles
Number of positions: 2
Actuator material: metal
Knob height: 11mm
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.38 EUR
45+1.93 EUR
53+1.62 EUR
100+1.24 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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TSM112C
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TSM112CDSTSOP-14
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TSM112CDSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14SOIC
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TSM112CDTST0311+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TSM112CDTSTMicroelectronicsDescription: IC HOUSEKEEPING 3.3/5/12V 14SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TSM112CM
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TSM112CNSTMicroelectronicsDescription: IC SUPERVISOR 3 CHANNEL 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Multi-Voltage Supervisor
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 3
Reset Timeout: 100ms Minimum
Voltage - Threshold: 4V, 6.1V, 14.2V
Supplier Device Package: 14-DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TSM112CN
Produktcode: 150021
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TSM112F1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; SPDT; ON-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Mounting hole dimensions: Ø6.2mm
Knob height: 12mm
Type of switch: toggle
Body colour: black
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Operating temperature: -25...85°C
Contacts configuration: SPDT
Stable positions number: 1
Leads: for soldering
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Kind of toggle: flat
Switching method: ON-(ON)
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Max. contact resistance:: 20mΩ
Electrical life: 20000 cycles
Number of positions: 2
Actuator material: metal
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+2.21 EUR
50+1.71 EUR
53+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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TSM11301HDVPTR
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TSM113F1NinigiТумблер; важільний; Поз: 3; SP3T; ON-OFF-(ON); 3A/250ВAC Перемикачі та вимикачі
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TSM113F1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 3; SP3T; ON-OFF-(ON); 3A/250VAC; -25÷85°C; 20mΩ
Mounting hole dimensions: Ø6.2mm
Knob height: 12mm
Type of switch: toggle
Body colour: black
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Operating temperature: -25...85°C
Contacts configuration: SP3T
Stable positions number: 2
Leads: for soldering
Body dimensions: 13.2x7.9x9.5mm
Kind of toggle: flat
Switching method: ON-OFF-(ON)
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Max. contact resistance:: 20mΩ
Electrical life: 20000 cycles
Number of positions: 3
Actuator material: metal
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.74 EUR
40+2.13 EUR
52+1.67 EUR
100+1.38 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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