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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI5403A-A14335-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Synchronizer
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403A-A14336-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tray
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Synchronizer
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403A-A14336-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Synchronizer
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403A-A14358-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tray
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Synchronizer
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403A-A14358-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Synchronizer
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403A-A14359-GMSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tray
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Synchronizer
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403A-A14359-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
Frequency - Max: 650MHz, 1.2288GHz
Type: Clock Synchronizer
Input: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V
Ratio - Input:Output: 6:18
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 72-QFN (10x10)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-E3
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.11 EUR
138+1.69 EUR
166+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 35463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.93 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+0.74 EUR
240+0.7 EUR
244+0.67 EUR
248+0.63 EUR
252+0.6 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.73 EUR
244+0.7 EUR
248+0.68 EUR
252+0.65 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.11 EUR
138+1.69 EUR
166+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403P-A16781-GMSkyworks SolutionsSI5403P-A16781-GM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403P-A16781-GMRSkyworks SolutionsSI5403P-A16781-GMR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403P-A16905-GMSkyworks SolutionsSI5403P-A16905-GM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403P-A16905-GMRSkyworks SolutionsSI5403P-A16905-GMR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404BDC-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404DCVISHAY
auf Bestellung 12200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404DC-T1SISSOP-8
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404DC-T1-E3VISHAYSOT163-ABEAS PB-
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404DC-T1-E3 SOT163-ABVISHAY
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404DC-T1-E3 SOT183-ABEAS PB-FREEVISHAY
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404DC-T1-E3S
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404DC-T1-E3SOT163-ABEASPB-FREEVISHAY
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404DC-T1-E3SOT183-ABEASPB-FREEVISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5404DC-T1-Q
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406CDC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 6.0A 5.7W 20mohm @ 4.5V
auf Bestellung 4917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406DC
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406DC-T1VISHAY0442+
auf Bestellung 2907 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406DC-T1-E3
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 1.2mA (Min)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5406DC-TI-E3
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI540X-A-EVBSkyworks SolutionsNetwork Synchronizer Clock Evaluation Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI540X-A-EVBSkyworks Solutions, Inc.Clock & Timer Development Tools
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5410DU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 12A 31W 18mohm @ 10V
auf Bestellung 5065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5410DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5410DU-T1-GE3
Produktcode: 49751
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5410DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5411EDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5411EDU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -12V .0082ohm@-4.5V -25A P-Ch T-FET
auf Bestellung 4051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5411EDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5414DC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 6.0A 6.3W 17mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5414DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5415AEDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5415AEDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5415AEDU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V 9.6mOhm@-4.5V -25A P-CH
auf Bestellung 7099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5415EDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5415EDU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V 9.8mOhm@4.5V -25A P-Ch G-III
auf Bestellung 5811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5415EDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5418DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
auf Bestellung 18490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+1.78 EUR
100+1.4 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5418DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5418DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5418DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
541+0.32 EUR
550+0.31 EUR
559+0.3 EUR
568+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 16267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 4376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
326+0.65 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
525+0.33 EUR
533+0.31 EUR
541+0.3 EUR
550+0.29 EUR
559+0.26 EUR
568+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
auf Bestellung 26486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3
Produktcode: 133313
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI542SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-E3
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 25V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.59 EUR
100+1.08 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.7 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5429DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5429DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5429DU-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5429DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5432DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5432DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
auf Bestellung 3048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5432DC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 6.0A 6.3W 20mohm @ 4.5V
auf Bestellung 5079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5432DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
auf Bestellung 3048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433DC
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433DC-T1
auf Bestellung 3377 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5433DC-T1-E3VISHAY05+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5435BDC-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5435BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5435BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5435BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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