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IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT

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AUIRGS4056D

IGBT Transistors

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AUIRGS4062D

IGBT Transistors

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AUIRGS4062D1

Description: IGBT TRENCH 600V 59A D2PAK
Power - Max: 246 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 77 nC
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 532µJ (on), 311µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/90ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

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AUIRGS4062D1

IGBTs Automotive 600V Ultra IGBT D2PAK

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AUIRGS4062D1TRL

Description: IGBT TRENCH 600V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/90ns
Switching Energy: 532µJ (on), 311µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A
Power - Max: 246 W

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AUIRGS4062D1TRL

IGBT Transistors Automotive 600V 24A T in a D2PAK

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AUIRGS4062D1TRR

IGBT Transistors Automotive 600V 24A T in a D2PAK

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AUIRGSL30B60K

Description: IGBT NPT 600V 78A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns
Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 370 W

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AUIRGSL30B60K

Description: IGBT NPT 600V 78A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns
Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 370 W

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	4.83 EUR

Mindestbestellmenge: 112 Stücke

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AUIRGSL30B60K

IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT

auf Bestellung 1184 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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AUIRGSL30B60K-IR

Description: IGBT, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns
Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 370 W

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AUIRGSL4062D1

Description: IGBT
Packaging: Bulk

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

72+	7.68 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

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AUIRGSL4062D1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 72A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 176ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 123W
Gate charge: 77nC
Technology: Trench

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	17.02 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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AUIRGSL4062D1

Description: IGBT TRENCH 600V 59A TO-262

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AUIRGSL4062D1

IGBT Transistors Automotive 600V 24A T in a D2PAK

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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AUIRGSL4062D1

Description: IGBT TRENCH 600V 59A TO-262

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

72+	7.68 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

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AUIRGU4045D

IGBT Transistors DISCRETES

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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AUIRGU4045D

Description: IGBT TRENCH 600V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: IPAK
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 19.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 77 W

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AUIRL1404S

Description: MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

136+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 136 Stücke

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AUIRL1404S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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AUIRL1404S

Description: PFET, 160A I(D), 40V, 0.004OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

136+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 136 Stücke

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AUIRL1404S

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRL1404S - AUIRL1404 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	5.15 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

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AUIRL1404S

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AUIRL1404S

MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms

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AUIRL1404S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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AUIRL1404STRL

Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

80+	6.88 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

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AUIRL1404STRL

MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms

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AUIRL1404STRL

Description: MOSFET N-CH 40V 160A DPAK

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AUIRL1404STRR

MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms

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AUIRL1404Z

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

152+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

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AUIRL1404Z

MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL1404Z

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220

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AUIRL1404ZL

MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms

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AUIRL1404ZL

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL1404ZS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRL1404ZS - AUIRL1404ZS 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 171 Stücke

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AUIRL1404ZS

Description: AUIRL1404ZS - 20V-40V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

156+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 156 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL1404ZS

Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL1404ZS

Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

197+	3.33 EUR
500+	3.15 EUR
1000+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 197 Stücke

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AUIRL1404ZS

MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL1404ZS

Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9408 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

156+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 156 Stücke

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AUIRL1404ZSTRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL1404ZSTRL

MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.46 EUR
10+	5.74 EUR
100+	4.16 EUR
800+	3.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL1404ZSTRL

Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL1404ZSTRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

162+	4.05 EUR

Mindestbestellmenge: 162 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL1404ZSTRL

Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	15.73 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL2203N

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2385 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

189+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 189 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL2203N

Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL2203N

MOSFETs 30V 100A 7 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET

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AUIRL3705N

Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	2.83 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 185 Stücke

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AUIRL3705N

Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22592 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

176+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 176 Stücke

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AUIRL3705N

MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 10mOhms

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.52 EUR
10+	4.94 EUR
100+	3.69 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	2.78 EUR
2000+	2.7 EUR
5000+	2.64 EUR

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AUIRL3705N

Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 19300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	2.83 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.43 EUR
10000+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 185 Stücke

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AUIRL3705N

Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	2.83 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 185 Stücke

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AUIRL3705N

Description: AUIRL3705 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

176+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 176 Stücke

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AUIRL3705Z

MOSFET 55V, 86A, 12mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.01 EUR
10+	4.5 EUR
100+	3.62 EUR
250+	3.25 EUR
500+	2.76 EUR
1000+	2.32 EUR
2000+	2.23 EUR

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AUIRL3705Z

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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AUIRL3705Z

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

197+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 197 Stücke

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AUIRL3705ZL

Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AUIRL3705ZL

MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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AUIRL3705ZL

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8871 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

161+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 161 Stücke

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AUIRL3705ZS

MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms

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AUIRL3705ZS

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

179+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 179 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL3705ZS

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL3705ZSTRL

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL3705ZSTRL

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	137.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL3705ZSTRL

Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL3705ZSTRL

MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.72 EUR
10+	6.37 EUR
100+	4.76 EUR
500+	3.97 EUR
800+	3.67 EUR
2400+	3.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL3705ZSTRR

MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7732S2TR

MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7732S2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.39 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.61 EUR
2000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7732S2TR

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7732S2TR

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRL7732S2TR - AUIRL7732S2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 21208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

337+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 337 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7732S2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4800+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7732S2TR

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7732S2TR1

Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7736M2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5055 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Packaging: Bulk

auf Bestellung 13183 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

163+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 163 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7736M2TR

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRL7736M2TR - AUIRL7736M2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 12372 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

157+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 157 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7736M2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5055 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.82 EUR
10+	5.82 EUR
100+	4.13 EUR
500+	3.4 EUR
1000+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7736M2TR

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin Direct-FET M4 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7736M2TR

MOSFETs 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.68 EUR
10+	5.62 EUR
25+	5.4 EUR
100+	4.05 EUR
500+	3.33 EUR
1000+	3.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7736M2TR

Description: MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5055 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4800+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7766M2TR

MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N- CH HEXFET

auf Bestellung 2659 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRL7766M2TR

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5305 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 37084 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

165+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 165 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRLB3034

MOSFET AUTO TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRLB3036

Array

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRLI2505

Description: MOSFET N CH 55V 58A TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRLL014N

MOSFET 55V, Logic level 2A 140 mOhm Auto MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRLL014N

Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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AUIRLL014NTR

Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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AUIRLL014NTR

MOSFET 55V, Logic level 2A 140 mOhm Auto MOSFET

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AUIRLL024N

Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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AUIRLL024NTR

Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

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AUIRLL024NTR

Infineon

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224 Діоди та діодні збірки

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AUIRLL024NTR

Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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AUIRLL024NTR

MOSFET 55V Logic Level 3.1A 65 mOhm Auto MOSFET

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AUIRLL024NTR

Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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AUIRLL024NTR

Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

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