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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STD17W-TTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: WIRE LABELS&MARKERS STD17W-T
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17W-UTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17W-VTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17W-WTE ConnectivityWire Labels & Markers SNAP ON .34-.46" W PRICE PER EA MARKER
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 60-64 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.64 EUR
100+0.57 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17W-WTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17W-XTE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STD17W-X
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17W-XTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Packaging: Bag
Color: White
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.335" ~ 0.452" (8.50mm ~ 11.50mm)
Legend: X
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17W-YTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Packaging: Bag
Color: White
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.335" ~ 0.452" (8.50mm ~ 11.50mm)
Legend: Y
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17W-ZTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Part Status: Active
Legend: Z
Cable Diameter: 0.335" ~ 0.452" (8.50mm ~ 11.50mm)
Type: Wire Marker, Clip-On
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Color: White
Packaging: Tray
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17W-ZTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON WHITE
Packaging: Bag
Color: White
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.335" ~ 0.452" (8.50mm ~ 11.50mm)
Legend: Z
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17Y-CTE ConnectivityDescription: Wire Labels & Markers STD17Y-C
Legend: C
Cable Diameter: 0.335" ~ 0.452" (8.50mm ~ 11.50mm)
Type: Wire Marker, Clip-On
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Color: Yellow
Packaging: Bulk
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
900+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17Y-COLONTE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On Polyoxymethylene Yellow
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1300+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17Y-COLONTE ConnectivityDescription: STD17Y-COLON
Packaging: Tray
Color: Yellow
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.335" ~ 0.452" (8.50mm ~ 11.50mm)
Legend: :
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD17Y-ZTE ConnectivityWire Labels & Markers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802CDT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Current gain: 100...400
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.45 EUR
129+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1802T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
190+1.23 EUR
300+0.71 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+0.49 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Low voltage fast-switching NPN power transistor
auf Bestellung 23988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.06 EUR
100+0.75 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1802T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
148+1.57 EUR
226+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 11138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1802T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
93+2.51 EUR
127+1.7 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT L/VT FST SWCH PW TRN NPN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 168-172 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+2.24 EUR
100+1.74 EUR
2500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD1802T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
127+1.7 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A DPAK
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4-ESTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1802T4-E
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1805
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1805-1
auf Bestellung 2101 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1805-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1805-1onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1805-1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1805T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1805T4
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1805T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD180N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V, 3.8 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 1729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD180N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD181GK08SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD181GK12SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD181GK14SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD181GK16SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD181GK18SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1820T4
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1855PLS
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1862
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1862L-Y
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1862L-Y-AT
auf Bestellung 29900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1862LY-AT
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1862Y
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1862Y-AT
auf Bestellung 136050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18GK08SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18GK12SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18GK14SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18GK16SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18GK18SIRECTIFIER05+
auf Bestellung 330 Stücke:
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STD18N06LT4G-VF01onsemiMOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STD18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N55M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD18N55M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.82 EUR
42+5.59 EUR
100+3.58 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS
auf Bestellung 4438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+5.45 EUR
100+4.49 EUR
250+4.46 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.37 EUR
2500+3.14 EUR
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STD18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.19 EUR
10+4.7 EUR
100+3.3 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STD18N55M5
Produktcode: 89163
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STD18N55M5STMMOSFET N-CH 550V 13A DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.68 EUR
47+1.82 EUR
52+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.87 EUR
50+2.18 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M2-EPSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+4.4 EUR
100+3.06 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.49 EUR
2500+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.15 EUR
5000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.58 EUR
35+2.49 EUR
36+2.38 EUR
38+2.28 EUR
50+2.14 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.198ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.01 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+4.47 EUR
100+3.12 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.12 EUR
50+4.91 EUR
100+4.01 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18NF03L
auf Bestellung 27600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ 17A STripFET II Power MOSFET
auf Bestellung 2276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
18+1.18 EUR
100+0.81 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
60+3.9 EUR
100+2.87 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+3.55 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.3 EUR
47+3.63 EUR
49+3.36 EUR
100+2.77 EUR
250+2.51 EUR
500+2.19 EUR
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STD18NF25STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 250 V 17A STripFET II
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STD18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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