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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFZ46NPBFInternational Rectifier(TO-220AB) Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.61 EUR
272+0.53 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
11+1.75 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF
Produktcode: 48533
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar: 75 St.
  • 6 St. - stock Köln
  • 69 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.8 EUR
10+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.6 EUR
68+1.06 EUR
79+0.91 EUR
89+0.81 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+1.65 EUR
100+1.1 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF/IRIR08+;
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2.89 EUR
500+2.62 EUR
800+1.17 EUR
2400+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ46NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 53 A, 0.0165 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46PBFIR
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZPBFIR09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.53 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBFInfineon / IRMOSFET 55V SINGLE N-CH 13.6mOhms 31nC
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.53 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.53 EUR
500+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBFIRto252 10+
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSPBFInternational RectifierDescription: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
287+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 255422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.81 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.45 EUR
10000+1.26 EUR
100000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInternational RectifierDescription: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 60552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
242+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.46 EUR
115+1.24 EUR
124+1.1 EUR
125+1.05 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.81 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
242+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.81 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.45 EUR
10000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.28 EUR
124+1.17 EUR
125+1.13 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.83 EUR
10+2.36 EUR
100+1.88 EUR
250+1.74 EUR
500+1.58 EUR
800+1.27 EUR
2400+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 60552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.81 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.45 EUR
10000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+1.81 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48SiliconixN-MOSFET 50A 60V 190W 0.018Ω IRFZ48; replacement: IRFB3806 IRFZ48 TIRFZ48
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48N
Produktcode: 14594
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.016
Ciss, pF/Qg, nC: 2200/85
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.54 EUR
10+0.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NNXP SemiconductorsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 64A 55V 3.8W 0.14Ω IRFZ48N TIRFZ48n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, 55V, 64A, 14 mOhm, 54 nC Qg, TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48N PBFIR06+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48N PBF
Produktcode: 60156
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 64
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
JHGF: THT
verfügbar: 136 St.
  • 5 St. - stock Köln
  • 131 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.52 EUR
10+0.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 85W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFZ48; IRFZ48N; SP001552474; IRFZ48N-ML MOSLEADER TIRFZ48n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48N?94-2608?IRTO-220AB
auf Bestellung 14250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
auf Bestellung 9043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+2.15 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
2000+0.91 EUR
5000+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 8745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+0.91 EUR
172+0.84 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.77 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
250+0.65 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 64 A, Ptot, Вт = 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1970 @ 25, Qg, нКл = 81 @ 10, Rds = 14 мОм @ 32 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.34 EUR
50+1.59 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.77 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 34511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.26 EUR
160+0.89 EUR
172+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF/IRIR08+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NS
Produktcode: 32184
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 64
Rds(on), Ohm: 0.016
Ciss, pF/Qg, nC: 2200/85
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NS IRFZ48NSTRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130W; -55°C ~ 175°C; IRFZ48NS TIRFZ48ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSPBF
Produktcode: 113427
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.81 EUR
91+1.55 EUR
99+1.38 EUR
105+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 54nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.73 EUR
95+1.52 EUR
105+1.35 EUR
500+0.99 EUR
800+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
auf Bestellung 8088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.82 EUR
10+2.45 EUR
100+1.66 EUR
500+1.42 EUR
800+1.25 EUR
2400+1.19 EUR
4800+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFZ48NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
auf Bestellung 19421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.12 EUR
10+2.64 EUR
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IRFZ48NSTRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFZ48NSTRLPBF
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IRFZ48NSTRLPBFInfineonTO-220 Транзистори
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IRFZ48NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
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IRFZ48NSTRLPBF
Produktcode: 191709
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFZ48NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
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800+1.35 EUR
1600+1.24 EUR
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8000+1.06 EUR
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IRFZ48NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ48NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ48NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ48NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
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IRFZ48PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFZ48PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFZ48PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFZ48PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
auf Bestellung 949 Stücke:
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10+3.61 EUR
100+2.89 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.2 EUR
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IRFZ48RVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFZ48RPBF
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