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IRFZ44NSTRLPBF

IRFZ44NSTRLPBF

irfz44nspbf-datasheet.pdf
Produktcode: 122891
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Hersteller: IR
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 49 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,017 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: SMD
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.02 EUR
2400+0.89 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
124+1.74 EUR
139+1.55 EUR
250+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5748 Stücke:
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68+2.65 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
auf Bestellung 28116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+1.52 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 8174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1340 Stücke:
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IRFZ44NSTRLPBF Infineon infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Транзистори
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IRFZ44NSTRLPBF
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Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
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IRFZ44NSTRLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
124+1.74 EUR
139+1.55 EUR
250+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF
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Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
auf Bestellung 28116 Stücke:
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1+3.19 EUR
10+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 8174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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7+3.25 EUR
11+2.07 EUR
50+1.55 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.25 EUR
93+2.51 EUR
124+1.74 EUR
139+1.55 EUR
250+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Транзистори
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1265 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 881 St.
  • 881 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.63 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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Reiniger für Leiterplatten 100 ml (Isopropylalkohol)
Produktcode: 88627
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Reiniger für Leiterplatten 100 ml (Isopropylalkohol)
Chemie > Reinigungsmittel
Beschreibung: Isopropylalkohol, Benzin (Kalosha)
Verwendung: Reiniger für Leiterplatten
Verpackung: 100ml
Typ: Alkohol
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 18 St.
  • 18 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.94 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 11 St.
  • 11 St. - stock Köln
auf Bestellung: 358 St.
  • 358 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55-C5V1
Produktcode: 4297
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BZV55-C5V1
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 5,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: -0,8 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
auf Bestellung: 4141 St.
  • 4141 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
21+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
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