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IRFZ44NSTRLPBF

IRFZ44NSTRLPBF

irfz44nspbf-datasheet.pdf
Produktcode: 122891
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Hersteller: IR
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 49 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,017 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: SMD
auf Bestellung: 30 St.
  • 30 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.82 EUR
2400+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.82 EUR
2400+0.8 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.83 EUR
2400+0.8 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1 EUR
2400+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.32 EUR
111+1.94 EUR
150+1.44 EUR
250+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.55 EUR
126+1.32 EUR
139+1.15 EUR
500+1.06 EUR
800+0.68 EUR
2400+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.55 EUR
126+1.36 EUR
139+1.2 EUR
500+1.12 EUR
800+0.74 EUR
2400+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
auf Bestellung 29450 Stücke:
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2+3.19 EUR
10+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+0.95 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 9373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
50+1.51 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
100+2.32 EUR
111+1.94 EUR
150+1.44 EUR
250+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF Infineon infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Транзистори
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
800+0.82 EUR
2400+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
800+0.82 EUR
2400+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
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2400+0.8 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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800+1 EUR
2400+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.32 EUR
111+1.94 EUR
150+1.44 EUR
250+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+2.55 EUR
126+1.32 EUR
139+1.15 EUR
500+1.06 EUR
800+0.68 EUR
2400+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+2.55 EUR
126+1.36 EUR
139+1.2 EUR
500+1.12 EUR
800+0.74 EUR
2400+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
auf Bestellung 29450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.19 EUR
10+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+0.95 EUR
800+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 9373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
50+1.51 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1563 Stücke:
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111+1.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+5.95 EUR
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1553 St.
  • 1553 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1216 St.
  • 1216 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
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Reiniger für Leiterplatten 100 ml (Isopropylalkohol)
Produktcode: 88627
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Reiniger für Leiterplatten 100 ml (Isopropylalkohol)
Chemie > Reinigungsmittel
Beschreibung: Isopropylalkohol, Benzin (Kalosha)
Verwendung: Reiniger für Leiterplatten
Verpackung: 100ml
Typ: Alkohol
auf Bestellung: 158 St.
  • 158 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.94 EUR
10+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
auf Bestellung: 453 St.
  • 453 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55-C5V1
Produktcode: 4297
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BZV55.pdf
BZV55-C5V1
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 5,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: -0,8 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
auf Bestellung: 5043 St.
  • 5043 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.043 EUR
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