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IRFZ44NSTRLPBF

IRFZ44NSTRLPBF

irfz44nspbf-datasheet.pdf
Produktcode: 122891
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Hersteller: IR
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 49 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,017 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: SMD
auf Bestellung: 66 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.89 EUR
2400+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16800 Stücke:
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2400+0.76 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.02 EUR
1600+0.94 EUR
2400+0.89 EUR
4000+0.84 EUR
5600+0.82 EUR
8000+0.79 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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67+2.63 EUR
97+1.75 EUR
138+1.19 EUR
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2400+0.63 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies irfz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5848 Stücke:
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67+2.63 EUR
97+1.8 EUR
138+1.24 EUR
500+1.15 EUR
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2400+0.7 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.78 EUR
112+1.92 EUR
115+1.87 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ44NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
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IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
84+2.78 EUR
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115+1.87 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF Infineon infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Транзистори
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.02 EUR
1600+0.94 EUR
2400+0.89 EUR
4000+0.84 EUR
5600+0.82 EUR
8000+0.79 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5848 Stücke:
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67+2.63 EUR
97+1.75 EUR
138+1.19 EUR
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800+0.77 EUR
2400+0.63 EUR
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Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+2.63 EUR
97+1.8 EUR
138+1.24 EUR
500+1.15 EUR
800+0.83 EUR
2400+0.7 EUR
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IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.78 EUR
112+1.92 EUR
115+1.87 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
auf Bestellung 29604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.19 EUR
10+2.03 EUR
100+1.36 EUR
500+1.17 EUR
800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF infineon-irfz44ns-datasheet-en.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
auf Bestellung 9656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.25 EUR
11+2.07 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.84 EUR
84+2.78 EUR
112+1.92 EUR
115+1.87 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Транзистори
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1860 St.
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1447 St.
  • 1447 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.63 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
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Reiniger für Leiterplatten 100 ml (Isopropylalkohol)
Produktcode: 88627
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Reiniger für Leiterplatten 100 ml (Isopropylalkohol)
Chemie > Reinigungsmittel
Beschreibung: Isopropylalkohol, Benzin (Kalosha)
Verwendung: Reiniger für Leiterplatten
Verpackung: 100ml
Typ: Alkohol
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 140 St.
  • 140 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
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BZV55-C5V1
Produktcode: 4297
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BZV55-C5V1
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 5,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: -0,8 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
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