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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI5913DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5913DC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.0A 3.1W 84mohm @ 10V
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5913DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DCVISHAYSSOP8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-E3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1VISHAYSSOP8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5915DC-T1-E3VISHAYMLP-8 0707+
auf Bestellung 1866 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5915DC-TI
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5920DC-T1-E3VISHAY07+ 1206-8
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5920DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.12W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5920DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5920DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5920DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5920DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5922DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Ch 30V Vds 4.7nC Qg Typ
auf Bestellung 5070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.86 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933CDC-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933CDC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.7A 2.8W
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC
auf Bestellung 7882 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T1VISHAY
auf Bestellung 14280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DC-T3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5933DС-T1-E3Vishay SiliconixDual P_Channel 1.8V (G-S) MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
21+1 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI5935CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.083 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 19786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.56 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 8275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
25+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935DC-T1-E3VISHAYSSOP8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5936DU-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 10.4W
Case: ChipFET8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 25A
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5936DU-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
auf Bestellung 75889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.62 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5936DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5936DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 451 Stücke:
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10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
100+0.87 EUR
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SI5938DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
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SI5938DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
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SI5943DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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SI5943DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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SI5943DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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SI5943DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
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SI5944DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
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SI5944DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
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SI5944DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
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SI5947DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
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SI5947DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
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SI5947DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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SI5947DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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SI5947DU-T1-GE3VISHAY
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Si5948DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 20731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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Si5948DU-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Case: ChipFET8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Si5948DU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
auf Bestellung 7813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Si5948DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
9000+0.45 EUR
15000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI595SA500M000DGRSilicon Labs595SA500M000DGR 595SA500M000
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
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SI5975DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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SI5975DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
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SI5980DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
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SI5980DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
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SI5980DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
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Si599Silicon LabsProgrammable Oscillators
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SI5997DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
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SI5997DU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V
auf Bestellung 3113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI5999EDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
auf Bestellung 5474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI5999EDU-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI5999EDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5999EDU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
auf Bestellung 5474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI5D15-100M
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5XX-EVBSilicon LabsClock & Timer Development Tools XO & VCXO Eval Board
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI5XX-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR XO/VCXO SGL/DUAL
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SI5XX-PROG-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BRD SI514 SI570 SI571 SI598
Secondary Attributes: I2C Interface(s)
Contents: Board(s), Cable(s)
Part Status: Active
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Primary Attributes: 100kHz ~ 1.417GHz Frequency Range
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: Si514, Si570, Si571, Si598, Si599
Type: Timing
Function: Reconfigurable Oscillators
Packaging: Box
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+130.88 EUR
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SI5XX-PROG-EVBSilicon LabsSI5XX-PROG-EVB SI5XX
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI5XX-PROG-EVBSkyworks Solutions, Inc.Clock & Timer Development Tools
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+128.78 EUR
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SI5XX5X7-EVBSilicon LabsClock & Timer Development Tools Single/Dual/Quad Frequency 5x7mm XO/VCXO Development Kit
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SI5XX5X7-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR XO/VCXO QUAD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5XX5X7-EVBSilicon LabsSI5XX5X7-EVB SI5XX5X7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5XXUC-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: XO & VCXO UNIVERSAL EVAL BOARD
Packaging: Box
Function: Clock Oscillation
Type: Timing
Utilized IC / Part: Si5xxUC
Supplied Contents: Board(s)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+131.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5XXUC-EVBSkyworks Solutions, Inc.Clock & Timer Development Tools Si5xx Universal EVB Kit
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+139.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5XXUC-EVBSilicon LabsClock & Timer Development Tools XO & VCXO Universal Eval Board
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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