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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5544MOTOROLA
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2N5545MOTOROLA
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2N5545Microchip TechnologyJFETs JFET - Dual
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2N5545Microchip TechnologyDescription: JFET - DUAL
Packaging: Bulk
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2N5545JTX01Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 50V TO-71
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2N5545JTXL01Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 50V TO-71
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2N5545JTXV01Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 50V TO-71
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2N5546Microchip TechnologyDescription: JFET - DUAL
Packaging: Bulk
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2N5546Microchip TechnologyJFETs JFET - Dual
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2N5546MOTOROLA
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2N5546InterFETJFET JFET N-Channel(Dual) -50V Low Ciss
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2N5546JTX01Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 50V TO-71
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2N5546JTXL01Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 50V TO-71
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2N5546JTXV01Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 50V TO-71
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2N5547MOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5547Microchip TechnologyDescription: JFET - DUAL
Packaging: Bulk
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2N5547Microchip TechnologyJFETs JFET - Dual
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2N5547JTX01Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 50V TO-71
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2N5547JTXL01Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 50V TO-71
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2N5547JTXV01Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH 50V TO-71
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2N5548MOTOROLA
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2N5549MOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2N554AMOTOROLA
auf Bestellung 550 Stücke:
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2N555MOTOROLA
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2N5550CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1900+0.045 EUR
2300+0.037 EUR
2600+0.033 EUR
2850+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1900 Stücke
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2N5550LGENPN, Bipolar, Uce=40V, Ic=0.6A, Pd=625mW, TO92 Транзистори
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2N5550onsemiBipolar Transistors - BJT Small Signal NPN Bipolar Transistor
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2N5550ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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2N5550LGETrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N5550onsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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2N5550 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 28033
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 200 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 140 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 160 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
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2N5550 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 140V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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2N5550 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N5550 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 140V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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2N5550 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 3576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2N5550 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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2N5550 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 160Vcbo 140Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 140V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 140V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550-D26ZON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550/D26ZFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550AMOTOROLA
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550BUonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550GOn SemiconductorNPN, Bipolar, Uce=40V, Ic=0.6A, Pd=625mW, TO92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5550G - 2N5550G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550GonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 15850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5550RLRA - 2N5550RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2174+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 15850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
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2N5550RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5550RLRAG - 2N5550RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2174+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2174 Stücke
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2N5550RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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2N5550RLRPONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5550RLRP - 2N5550RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 164000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2174+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2174 Stücke
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2N5550RLRPonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 164000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
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2N5550RLRPonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
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2N5550RLRPON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 164000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
100000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
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2N5550RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 368 Stücke
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2N5550RLRPGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5550RLRPG - 2N5550RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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2N5550RLRPGonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 368 Stücke
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2N5550TA
Produktcode: 220769
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N5550TAonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.11 EUR
4000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5550TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5550TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.61 EUR
681+0.35 EUR
1087+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
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2N5550TAonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 4237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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2N5550TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7937+0.083 EUR
10000+0.073 EUR
100000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7937 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7937+0.083 EUR
10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 7937 Stücke
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2N5550TAonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 91027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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2N5550TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5550TAFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 29620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5275+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7937+0.083 EUR
10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 7937 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TARON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TARON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.1 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TARonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 122000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.13 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TARONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TARON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TARonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 5756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.12 EUR
4000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TARonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 93908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 29681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5550TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFON Semiconductor2N5550TF
auf Bestellung 18424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 50...200
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
439+0.19 EUR
642+0.13 EUR
736+0.12 EUR
879+0.096 EUR
1005+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2218+0.08 EUR
6000+0.075 EUR
10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 2218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.11 EUR
4000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 113792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5275+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 9590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5550TFRonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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