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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPL78Hammond ManufacturingDescription: PLINTH 700 X 800MM X 4"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL86Hammond ManufacturingDescription: PLINTH 800 X 600MM X 4"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L1R0KDVishay / SfernicePower Inductors - Leaded 1uH 10% High Current
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+123.19 EUR
10+101.36 EUR
20+94.55 EUR
60+87.74 EUR
100+85.93 EUR
260+85.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L1R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 1uH 10% 22A Solder Lug
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L1R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 1UH 22A CHAS MNT
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.92 EUR
10+73.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L1R0KDVISHAYDescription: VISHAY - IPLA32L1R0KD - Induktivität, geschirmt, 1µH, 22A, 7W, ± 10%, Produktreihe IPLA 32
tariffCode: 85045000
Sättigungsstrom (Isat): 110A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivitätstoleranz: ± 10%
Induktivität: 1µH
euEccn: NLR
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 22A
DC-Widerstand, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Produktpalette: IPLA 32 Series
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L1R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 1uH 10% 22A Solder Lug
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L2R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 2uH 10% 20A Solder Lug
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L2R0KDVishay / SferniceFixed Inductors 2uH 10% High Current
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.11 EUR
10+61.68 EUR
20+56.22 EUR
60+53.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L2R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 2uH 10% 20A Solder Lug
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L2R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 2UH 20A CHAS MNT
Current Rating (Amps): 20 A
Inductance: 2 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.874" (22.20mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 100A
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Planar
Shielding: Shielded
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 1.189" L x 0.965" W (30.20mm x 24.50mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.82 EUR
10+79.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L3R0KDVISHAYDescription: VISHAY - IPLA32L3R0KD - Induktivität, geschirmt, 3µH, 14A, 2.8W, ± 10%, Produktreihe IPLA 32
Sättigungsstrom (Isat): 70
Induktivitätstoleranz: ± 10%
Induktivität: 3
RMS-Strom Irms: 14
DC-Widerstand, max.: -
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Produktpalette: IPLA 32
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+78.65 EUR
4+71.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L3R0KDVishay / SferniceFixed Inductors 3uH 10% High Current
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.6 EUR
5+70.06 EUR
10+69.16 EUR
20+67.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L3R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 3uH 10% 14A Solder Lug
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.01 EUR
10+21.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L3R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 3UH 14A CHAS MNT
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 14 A
Inductance: 3 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.874" (22.20mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 70A
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Planar
Shielding: Shielded
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 1.189" L x 0.965" W (30.20mm x 24.50mm)
Package / Case: Nonstandard
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.82 EUR
10+79.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L3R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 3uH 10% 14A Solder Lug
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L4R0KDVishayHigh Current Planar Choke Shielded 4uH 10% 10A Solder Lug
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L4R0KDVishay SferniceDescription: FIXED IND 4UH 10A CHAS MNT
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Planar
Shielding: Shielded
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 1.189" L x 0.965" W (30.20mm x 24.50mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 10 A
Inductance: 4 µH
Height - Seated (Max): 0.874" (22.20mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 50A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLA32L4R0KDVishay / SfernicePower Inductors - Leaded 4uH 10% High Current
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.68 EUR
10+76.23 EUR
20+70.56 EUR
60+70.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLED-16X32RGB7-CIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE BL/G/R LED 7STACK
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1049.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLED-16X96RGB7-CIP DisplaysDescription: Compact Indoor Display with 6mm
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2860.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLED-24X128-RGB7-C-ODNIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE LED 7STACK
Lamp Type: LED
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Type: Display Module
Packaging: Retail Package
Number of Stacks: 7
Part Status: Active
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7669.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLED-24X32RGB7-C-DSIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE BL/G/R LED 7STACK
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2860.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLED-24X64-RGB7-C-ODNIP DisplaysDescription: Compact Indoor Display with 6mm
Packaging: Retail Package
Light Color: Green, Red
Number of Stacks: 7
Part Status: Active
Lamp Type: LED
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Type: Display Module
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3908.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLED-24X64-RGB7-C-SSIP DisplaysDescription: DISPLAY MODULE BL/G/R LED 7STACK
Light Color: Blue, Green, Red
Number of Stacks: 7
Part Status: Active
Lamp Type: LED
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Type: Display Module
Packaging: Retail Package
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5020.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLED-24X64RGB7CIP DisplaysDescription: Compact Indoor LED Display. 7 Co
Packaging: Retail Package
Type: Display Module
Operating Temperature: -34°C ~ 65°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 95 ~ 260VAC
Lamp Type: LED
Part Status: Active
Number of Stacks: 7
Light Color: Blue, Green, Red
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2860.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R1K0PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.78 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R1K0PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
10+2.5 EUR
100+1.95 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R1K0PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R1K5PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.58 EUR
100+1.24 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R1K5PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R1K5PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.45 EUR
197+1.18 EUR
238+0.9 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R1K5PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R1K5PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.45 EUR
197+1.18 EUR
238+0.9 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.88 EUR
90+1.92 EUR
124+1.37 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.88 EUR
90+1.88 EUR
124+1.31 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
109+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 23366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.52 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.52 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R360PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
73+3.18 EUR
109+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R600PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R600PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R600PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.517 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
106+2.2 EUR
157+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R600PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R600PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R600PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.517 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.77 EUR
106+2.2 EUR
157+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK60R600PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 4755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.51 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.07 EUR
5000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
148+1.57 EUR
194+1.11 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
148+1.57 EUR
194+1.11 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 22.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
130+1.8 EUR
182+1.18 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
130+1.8 EUR
182+1.18 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
149+1.57 EUR
213+1.01 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.34 EUR
100+1.05 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
149+1.57 EUR
213+1.01 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
263+0.88 EUR
264+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
263+0.88 EUR
264+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
138+1.69 EUR
208+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
138+1.69 EUR
208+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.05 EUR
100+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+0.65 EUR
387+0.61 EUR
396+0.55 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK70R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+0.65 EUR
387+0.61 EUR
396+0.55 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+2.34 EUR
100+1.82 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.17 EUR
5000+1.08 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.95 EUR
110+2.12 EUR
153+1.4 EUR
200+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
110+2.12 EUR
153+1.4 EUR
200+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPLK80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
130+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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