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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+0.75 EUR
146+0.58 EUR
177+0.48 EUR
374+0.23 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 618000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI3420A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
191+1.21 EUR
302+0.71 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 471000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 618000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3420A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.8 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
auf Bestellung 28686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
183+1.27 EUR
276+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
auf Bestellung 13646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.04 EUR
50+0.76 EUR
100+0.68 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
auf Bestellung 28686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
183+1.27 EUR
276+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.12 EUR
105+0.81 EUR
150+0.57 EUR
177+0.49 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3423DV
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424BDV
auf Bestellung 918000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3424BDV-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3424BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3424BDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
auf Bestellung 58673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.99 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.37 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3424BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
22+0.98 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3424BDV-T1-GE3
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
465+0.37 EUR
487+0.35 EUR
488+0.33 EUR
528+0.29 EUR
530+0.27 EUR
571+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3424BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.79 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.6W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 N-CH 30V 7.5A
auf Bestellung 34479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3424CDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
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SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.6W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3424CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
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3+1.26 EUR
10+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
3000+0.29 EUR
9000+0.25 EUR
24000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.52 EUR
267+0.87 EUR
419+0.51 EUR
550+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
auf Bestellung 94101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
28+0.77 EUR
50+0.56 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.52 EUR
267+0.87 EUR
419+0.51 EUR
550+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
527+0.32 EUR
629+0.27 EUR
632+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 527 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424DVVISHAY
auf Bestellung 26600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424DV-T1VISHAYSOT23-6
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424DV-T1Vishay SiliconixTSOP6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3425DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3425DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+1.34 EUR
263+0.88 EUR
445+0.48 EUR
599+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3425DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3425DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+1.34 EUR
263+0.88 EUR
445+0.48 EUR
599+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3425DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.87 EUR
50+0.63 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.57 EUR
544+0.31 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+1.36 EUR
287+0.81 EUR
596+0.36 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 11663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.62 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
687+0.25 EUR
698+0.24 EUR
721+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 687 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.7W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+1.36 EUR
287+0.81 EUR
596+0.36 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
666+0.26 EUR
677+0.25 EUR
687+0.24 EUR
698+0.21 EUR
709+0.2 EUR
721+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 666 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3430DVVISAHRY
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SI3430DV-T1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3430DV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
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2+2.64 EUR
10+1.84 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3430DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
auf Bestellung 4561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3430DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3430DV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.8A
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3430DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R
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3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3430DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
50+1.68 EUR
100+1.5 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI3430DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3430DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs TSOP6 100V 2.4A N-CH MOSFET
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1+3.77 EUR
10+2.37 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
3000+0.93 EUR
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SI3430DV-T1-E3VISHAY1036+ TSOP6
auf Bestellung 9000 Stücke:
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SI3430DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3430DV-T1-E3
Produktcode: 217243
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Si3430DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Si3430DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V
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1+3.77 EUR
10+2.37 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.19 EUR
3000+0.94 EUR
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Si3430DV-T1-GE3
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si3430DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
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