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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N6661JTX02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661JTXL02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661JTXP02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661JTXV02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661JTXV02VishayTrans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1465.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661JTXV02VishayTrans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661N2SILICONI
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6662MOTOROLA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6665VISHAYCAN
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6666NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 40V 8A TO220
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6666 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Pwr Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 60V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 60V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.8 EUR
33+5.2 EUR
36+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667onsemiDarlington Transistors 10A 60V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667onsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 10A TO-220
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 60V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Med Power
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 10A 65W 60Vcbo 60Vceo 5.0A 20MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667GonsemiDarlington Transistors 10A 60V Bipolar Power PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667G
Produktcode: 94597
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 10A TO-220
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6667GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6668 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.5 EUR
42+5.64 EUR
100+4.05 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668onsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 10A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 65 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 65 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 80V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668onsemiDarlington Transistors 10A 80V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 10A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Sleeve
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 10A 80V TH TRANSISTOR-BIPOLAR PO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 550 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Pwr Darlington
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+5.09 EUR
25+4.8 EUR
100+4.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220-3
Power - Max: 65 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 20MHz
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 10A 65W 80Vcbo 80Vceo 5.0A 20MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6668GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 10A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 65 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N666AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6671Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6671PHIL01+ TO-3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6671Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 300V 8A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 8A, 300V
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6672Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6672Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6672MOT/ON
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6673Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6673MOT01+ TO-3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6673Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6673Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6674MOT/ON
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6674Microchip TechnologyDescription: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6674Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6675Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 400V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6675Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6675MOT\ST\RCA01+ TO-3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6675Microchip TechnologyDescription: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6676Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6676MOT\RCA01+ TO-3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6676Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 15A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6676T1Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6677Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 15A TO204AA
Power - Max: 175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 15A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 15A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6677Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6677MOT01+ TO-3
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6678Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6678Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+224.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6678MOT01+ TO-3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6678Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 400V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+196.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6678MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6678 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 15 A, 175 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6678Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 400V 15A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 3 W
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2N6678CicorBipolar Transistors - BJT
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2N6678Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 400V 15A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N6678M3A-JQRSSemelab (TT electronics)NPN Silicon Transistor
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2N6678M3A-JQRSTT ElectronicsTT Electronics BIPOLAR POWER TRANSISTOR
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2N6678T1Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
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2N6678T1Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 400V 15A 6000mW 3-Pin(3+Tab) TO-254
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2N6678T1Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N6679HARRIS
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2N6679 Transistor
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2N667AMOTOROLA
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2N668MOTOROLA
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2N6681MOTCAN
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2N6683MOTCAN
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2N6684MOTCAN
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2N6685MOTCAN
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2N6686Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BACK OF CLASS
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2N6686MOT01+ TO-3
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2N6686Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 180V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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2N6687MOT01+ TO-3
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2N6688MOT01+ TO-3
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2N668AMOTOROLA
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2N669MOTOROLA
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2N669AMOTOROLA
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2N670MOTCAN
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2N6701HP9018 DIP
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2N6709
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2N671MOTCAN
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2N6714onsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A TO237
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-237AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-237
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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2N6714 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 2A TO237
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-237
Frequency - Transition: 500MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-237AA
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2N6714 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 2A TO237
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-237
Frequency - Transition: 500MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-237AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2N6715
Produktcode: 99890
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N6715onsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A TO92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
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