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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BC56-16PA,115NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5146+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5146 Stücke
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BC56-16PA,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 420 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PA,115NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PA-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BC56-16PA-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 80V Med PWR Trans 1A Ic 2A Icm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PA-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A U-DFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 520 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PA-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 520mW 3-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PA-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 520mW 3-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1343+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1343 Stücke
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BC56-16PA-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PA-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A U-DFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 520 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PA-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 520mW; U-DFN2020-3
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 2A
Power dissipation: 0.52W
Collector current: 1A
Current gain: 25...250
Collector-emitter voltage: 80V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 125MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PA-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 520mW 3-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC56-16PA-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin HUSON Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC56-16PA-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56-16PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
276+0.9 EUR
384+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PA-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 420 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PA-QXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; DFN2020-3,SOT1061
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.35W
Collector current: 1A
Current gain: 63...250
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 180MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-3; SOT1061
Produkt ist nicht verfügbar
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BC56-16PA-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1061 80V 1A NPN MEDPWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BC56-16PA-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56-16PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.65W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
276+0.9 EUR
384+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 276 Stücke
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BC56-16PA115Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BC56-16PA - SMALL S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PASNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56-16PAS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 420
Übergangsfrequenz ft: 180
Bauform - Transistor: DFN2020D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BC56
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PASNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PASNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56-16PAS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 420
Übergangsfrequenz ft: 180
Bauform - Transistor: DFN2020D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BC56
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PAS-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A DFN2020D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PAS-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC56-16PAS115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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BC56-16PAST-QXNexperia USA Inc.Description: BC56-16PAST-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PAST-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT BC56-16PAST-Q/SOT1061/HUSON3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PAST-QXNexperia USA Inc.Description: BC56-16PAST-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PASTXNexperiaBipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PASTXNexperia USA Inc.Description: BC56-16PAST/SOT1061/HUSON3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PASXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A DFN2020D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 420 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PASXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A DFN2020D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 420 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PASXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC56-16PASX - TRANSISTOR, BIPOLAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PASXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1061 80V 1A NPN MEDPWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PASXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PAWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A W-DFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PAWQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K
auf Bestellung 38008 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.07 EUR
100+0.68 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PAWQ-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PAWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A W-DFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC56-16PAWQ-7Diodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560CDILTransistor: PNP; bipolar; 45V; 100mA; 500mW; TO92 BC560-CDI BC560 TO92 TBC560
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC560onsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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BC560onsemiBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560
Produktcode: 174285
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bc560-BTOSHIBA09+
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BC560A
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BC560A
Produktcode: 109759
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BC560ABUVishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
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BC560ABUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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BC560ABUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560ATAonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BC560ATAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/50V/100mA
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BC560ATADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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BC560B
Produktcode: 37229
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
ZCODE: 8541 21 00 90
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BC560BPHILIPS
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BC560BA
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BC560BBUROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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BC560BBUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO92-3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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BC560BBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560BTAOn SemiconductorTRANS PNP 45V 0.1A TO92-3 Транзистори
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BC560BTAonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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BC560BTAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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BC560BTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560BUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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BC560BUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BC560CZEHUATransistor PNP; 800; 500mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC560CBU; BC560CG; BC560C ZEHUA TBC560c ZEH
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BC560CLGEPNP 100mA 30V 500mW 150MHz 420 < beta < 800 Low Noise BC560C TBC560c
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BC560ConsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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BC560CJSMicro SemiconductorTransistor PNP; 800; 625mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC560CBU; BC560CG; BC560C JSMICRO TBC560c JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BC560CCDILPNP, TO-92_BULK Транзистори
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BC560C
Produktcode: 162667
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BC560ConsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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BC560CLGEPNP 100mA 30V 500mW 150MHz 420 < beta < 800 Low Noise BC560C TBC560c
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 590 Stücke
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BC560CBFAIRCHILD
auf Bestellung 68250 Stücke:
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BC560CBUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560CBURenesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
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BC560CBUonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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BC560CGOn SemiconductorPNP, TO-92_BULK Транзистори
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BC560CG
Produktcode: 31499
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 250 MHz
Spannung Uce, V: 45 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 800
ZCODE: 8541 21 00 90
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1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
100+0.039 EUR
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BC560CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Box
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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BC560CGonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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BC560CGonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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BC560CGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 500mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
Power: 0.5W
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BC560CTAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BC560CTAonsemiBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560CTAonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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BC560CTAONS/FAIPNP, 45 V, 100 mA, TO-92 Транзистори
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BC560CTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560CTAOn SemiconductorBC560CTA Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 150MHz 500mW Through Hole TO-92-3 Транзистори
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BC560CTA Transistor
Produktcode: 198500
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BC560CTARonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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BC560CTARonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BC560CZL1onsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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BC560CZL1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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BC560CZL1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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BC560CZL1GInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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BC560CZL1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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BC560C_D74Zonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
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BC560C_D74ZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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BC560C_J35ZonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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