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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MPSA06RAONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RA
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RAonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.2 EUR
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.88 EUR
323+0.52 EUR
509+0.32 EUR
678+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RAonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
auf Bestellung 15078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RAONSEMIDescription: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+1.04 EUR
396+0.58 EUR
622+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RAonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RL1onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RL1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 200084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3425+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
100000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RL1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 208084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2273+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RL1GOn SemiconductorNPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.625Вт, TO-92 (комплем. MPSA56RL1) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RL1GONSEMIDescription: ONSEMI - MPSA06RL1G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-92-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RL1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RL1GMPSA06RL1G Транзисторы Bipolar
auf Bestellung 9550 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MPSA06RLG - MPSA06RLG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLIGonsemiDescription: SS T092 GP XSTR NPN 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRAON07+;
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRAonsemiDescription: TRANS NPN SS GP 80V TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+137.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRAGON07+;
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - MPSA06RLRAG - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRMGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3425+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRPGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 236000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2273+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRPG
auf Bestellung 10104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRPGONSEMIDescription: ONSEMI - MPSA06RLRPG - MPSA06RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3425+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRPGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3425+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06RLRPGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 212000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3425+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
100000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06T/B
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06T93Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06ZL1
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06_D27ZonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06_D75ZonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA06_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA10onsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5µA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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MPSA10onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN GEN PURPOSE XTOR
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MPSA10
auf Bestellung 8130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MPSA10_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.1A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5µA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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MPSA113L-AB3-R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MPSA12onsemiDarlington Transistors NPN Darlington
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MPSA12
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MPSA12Diodes IncorporatedDarlington Transistors
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MPSA12Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN DARL 20V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 14250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
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MPSA12ONSEMIDescription: ONSEMI - MPSA12 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MPSA12 APM PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors 500mA,20V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSA12 APM TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors 500mA,20V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSA12 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MPSA12 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 20V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MPSA12 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 20Vces 10Vebo 500mA 625mW
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MPSA12 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Darl Amp
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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MPSA12 TRE PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors 500mA,20V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSA12 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors 500mA,20V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSA12-APMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors 1.2A 20V
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MPSA12-APMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 20V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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MPSA12GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 20V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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MPSA12P
auf Bestellung 30500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MPSA12RLRAonsemiDescription: TRANS NPN DARL 20V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
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MPSA12RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 20V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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MPSA12RLRPonsemiDescription: TRANS NPN DARL 20V TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
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MPSA12RLRPGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 20V TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
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MPSA12_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN DARL 20V 1.2A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MPSA12_D27ZonsemiDescription: TRANS NPN DARL 20V 1.2A TO92-3
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Part Status: Obsolete
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
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MPSA12_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN DARL 20V 1.2A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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MPSA12_D75ZonsemiDescription: TRANS NPN DARL 20V 1.2A TO92-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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MPSA12_Qonsemi / FairchildDarlington Transistors NPN Transistor Darlington
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MPSA13RectronMPSA13
auf Bestellung 3305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.21 EUR
269+0.64 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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MPSA13onsemiDarlington Transistors 500mA 30V NPN
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MPSA13LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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MPSA13MPS09+
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MPSA13Diodes IncorporatedDarlington Transistors
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MPSA13RectronDarlington Transistors TO92 NPN 0.5A 30V Da rlington
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MPSA13CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 125MHz
Current gain: 5000...10000
auf Bestellung 4038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1140+0.075 EUR
1260+0.068 EUR
1425+0.06 EUR
1555+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1140 Stücke
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MPSA13Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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MPSA13NTE ElectronicsCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 125MHz
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA13Fairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MPSA13 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 28464
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A
Montage: THT
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1+0.14 EUR
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MPSA13 APM PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors 500mA,30V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSA13 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 500MA 30V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA13 APM TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors 500mA,30V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA13 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 500MA 30V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSA13 APP PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 30Vcbo 30Vceo 10Vebo 500mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA13 APP PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 500MA 30V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSA13 APP TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 30Vcbo 30Vceo 10Vebo 500mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA13 APP TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 500MA 30V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MPSA13 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 30V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MPSA13 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN GP Darl
auf Bestellung 11316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.19 EUR
100+0.74 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MPSA13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 500MA 30V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA13 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Darling 30Vcbo 30Vceo 10Vebo
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA13 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 500MA 30V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA13 TRA PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 30Vcbo 30Vceo 10Vebo 500mA 625mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPSA13 TRA PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 500MA 30V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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