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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI3440ADV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 150V 2.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 35296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.65 EUR
100+0.36 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 34333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
295+0.79 EUR
585+0.37 EUR
614+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.79 EUR
225+0.77 EUR
250+0.75 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 44264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.44 EUR
100+0.32 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.76 EUR
223+0.74 EUR
224+0.7 EUR
225+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
auf Bestellung 9336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
35+0.61 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3
Produktcode: 171852
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 34333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
295+0.79 EUR
585+0.37 EUR
614+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1064+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1064 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.76 EUR
341+0.5 EUR
646+0.25 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440ADV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DVVISHAY09+ SOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.19 EUR
4000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
102+2.28 EUR
132+1.63 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.05 EUR
181+0.94 EUR
183+0.89 EUR
184+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.98 EUR
183+0.95 EUR
184+0.93 EUR
250+0.89 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
102+2.28 EUR
132+1.63 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 61598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+1.74 EUR
100+1.24 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.04 EUR
3000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.15 EUR
6000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 14946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+2.34 EUR
100+1.8 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 193635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.05 EUR
118+1.48 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.93 EUR
6000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.34 EUR
100+2.09 EUR
200+1.9 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 236416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
auf Bestellung 24103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 236440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.33 EUR
156+1.08 EUR
190+0.86 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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SI3440DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.14W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 1843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
103+0.83 EUR
128+0.67 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3440DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3441
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si3441BDVVISHAYSOT23 05+PBF
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3441BDV-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI3441BDV-T1-E3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3441BDV-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3441BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3441BDV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3433CDV-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3441BDV-T1-E3Vishay SiliconixTSOP6 Транзистори
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SI3441BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
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SI3441BDV-T1-E3 B1...VishayP-MOSFET 20V 2.45A 90mΩ 860mW obsolete SI3441BDV-T1-E3 Vishay TSI3441bdv
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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SI3441BDV-T1-GE3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3441BDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3433CDV-GE3
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SI3441BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3441BDV-T3VishayVishay
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SI3441BDVT1E3VISHAY
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3441DBV-T1-E3
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3441DVFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2885 Stücke
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SI3441DVVISHAY
auf Bestellung 11300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3441DV(441/)
auf Bestellung 12250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3441DV-T1(431P)
auf Bestellung 77441 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3441DV-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 15018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3441DV-T2VISHAY
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3441DV-TI
auf Bestellung 3430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3441DV-TI-E3
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3441DV/T1
auf Bestellung 7678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3441DVT1VISHAY
auf Bestellung 38300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3441DVTI
auf Bestellung 1746 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3441TRIR04+ SOT23-6
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442VISHAY
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
20+1.09 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 2.5-V (G-S)
auf Bestellung 13166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.11 EUR
10+0.98 EUR
100+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V 3A
auf Bestellung 67926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.11 EUR
10+0.96 EUR
100+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3VISHAYSOT163
auf Bestellung 18610 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 24567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442BDV-T1-GE3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442CDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 8A 2.7W 27mohm @ 10V
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
auf Bestellung 2314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
auf Bestellung 2314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DC-T1VISHAY0010+
auf Bestellung 5098 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DVONSEMIDescription: ONSEMI - SI3442DV - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 32796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2466+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DVFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): 8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
auf Bestellung 32796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1397+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3442DVVISHAY09+
auf Bestellung 41968 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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