Produkte > Jan
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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| JANTX2N6675 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO-3 Qualification: MIL-PRF-19500/537 Grade: Military Power - Max: 6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 15A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6675 | MOT/ON | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6676 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 15A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 6 W Qualification: MIL-PRF-19500/538 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6676 | MOT/ON | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6676 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6676T1 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6677 | MOT/ON | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6678 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-3 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 6 W Qualification: MIL-PRF-19500/538 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6678 | MOT/ON | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6678T1 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO254 Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-254 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6688 | MOT | 00+ TO-3 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| Jantx2N6689 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| Jantx2N6690 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| Jantx2N6691 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| Jantx2N6691 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 15A TO61 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6693 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO61 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-61 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6755 | IR/MOT | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6756 | IR/MOT | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6756 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| JANTX2N6756 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/542 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6757 | IR/MOT | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6758 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/542 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6758 | MICROSEMI | TO-240AA/9 A, 200 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2N6758 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6759 | IR/MOT | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6760 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/542 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6760 | MOTOROLA | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6761 | IR/MOT | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6762 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/542 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6762 | IR/MOT | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6763 | IR/MOT | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6764 | MICROSEMI | TO-204AE/N-CHANNEL MOSFET 2N6764 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6764 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 38A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/543 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6764T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 38A TO254AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/543 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6765 | IR/MOT | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6766 | MOT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6766 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3 Qualification: MIL-PRF-19500/543 Grade: Military Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6766T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-254AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6767 | IR/MOT | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6768 | MICROSEMI | TO-204AE/N-CHANNEL MOSFET 2N6768 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6768 | Microchip / Microsemi | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6768 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Grade: Military Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/543 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6768 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6768T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6769 | MOT/HAR | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6770 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6770 | IR/MOT | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6770 | Microchip / Microsemi | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6770 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/543 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6770T1 | Microchip / Microsemi | MOSFET Power Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6770T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6771 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| JANTX2N6780 | HARRIS | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6781 | HARRIS | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6782 | IR | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6782 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A TO-205AF | auf Bestellung 1223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6782U | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 18-LCC | auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6783 | HARRIS | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6784 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 2.25A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/556 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6784 | IR/HARRIS | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6784U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 2.25A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/556 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6785 | HARRIS | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6786 | HARRIS | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6787 | HARRIS | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6788 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6788 | MICROSEMI | TO39/N-CHANNEL MOSFET 2N6788 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6788U | MICROSEMI | U-18 LCC/N-CHANNEL MOSFET 2N6788 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6788U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6789 | HARRIS | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6790 | HARRIS | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6790 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39 Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/555 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6790U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6791 | HARRIS | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6792 | HARRIS | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6793 | HARRIS | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6794 | HARRIS | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6795 | HARRIS | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6796 | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6796 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6796 | MICROSEMI | TO-39/N CHANNEL MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6796U | MICROSEMI | U/N Channel MOSFET 2N6796 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6796U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6798 | MICROSEMI | M°/100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Tr 2N6798 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6798 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO205AF Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6798U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6799 | HARRIS | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6800 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO205AF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6800 | Microchip / Microsemi | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6800 | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| JANTX2N6800 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6800U | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6800U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6800U | Microchip / Microsemi | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6800UPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6802 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6802 | IR | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| JANTX2N6802U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6804 | auf Bestellung 718 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| JANTX2N6804 | Microsemi | Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| JANTX2N6804 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/562 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-204AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANTX2N6804 | Microchip / Microsemi | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |