Produkte > IPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IPB65R420CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.7A Power dissipation: 310W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R420CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R600C6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C6 | auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R660CFD | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO263 | auf Bestellung 21116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R660CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R660CFD | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO263 | auf Bestellung 21116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R660CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2 | auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPB65R660CFDAATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2 | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R660CFDAATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R660CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R660CFDATMA1 | Infineon / IR | MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB65R660CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB65R660CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T | auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N04S4-06 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N04S406 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N10S3-12 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | auf Bestellung 733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N10S312ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N10S312ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N10S3L-12 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | auf Bestellung 12043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N10S3L12ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm | auf Bestellung 7336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V | auf Bestellung 19969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPB70N10S3L12ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm | auf Bestellung 7336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB70N10S3L12ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5570 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N10S3L12ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N10SL-16 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 SIPMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N10SL16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N10SL16ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N10SL16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70P04P4-09 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -70A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 72A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70P04P409ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB70P04P409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB720P15LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0601ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm | auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 75 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | auf Bestellung 7252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB720P15LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB720P15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 41 A, 0.0601 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0601ohm | auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB720P15LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 75 V | auf Bestellung 1584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB77N06S2-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 77A D2PAK-2 OptiMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB77N06S2-12 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPB77N06S2-12 | Infineon | N-channel, 55V, 77A Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB77N06S212ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB77N06S212ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 38A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_)40V 60V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 26828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB77N06S3-09 | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB77N06S3-09 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB79CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80CN10NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80N03S4L-02 | INFINEON | SOT23 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80N03S4L-02 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80N03S4L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80N03S4L-03 | Infineon Technologies | Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80N03S4L-03ATMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | auf Bestellung 2989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB80N03S4L03ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | auf Bestellung 2989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 19412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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