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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4468-A2B-IMRSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20dBm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4468-A3A-IMSilicon LabsRF Transceiver
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4468-A3A-IMRSilicon LabsRF Transceiver
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4468DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI446DY
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI447SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470SISOP-8
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470AEY-T1-E3FDS
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470DYVISHAY09+
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EYVishay / SiliconixMOSFET 60V 12.7A 3.75W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EYVISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 12.7A 3.75W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-TSILICONIX
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4470EY-T1SOP-8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4850EY-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-T1-E3SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 9A; 1,85W; -55°C ~ 175°C; SI4470EY TSI4470ey
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4850EY-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-T1-E3Vishay SiliconixN-канальный ПТ, Id = 9 A, Ptot, Вт = 1.85, Vdss В = 60, Тип монт. = smd, Rds = 11 мОм @ 12 A, 10 В, Qg,нКл = 57, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4850EY-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4470EYT1E3VISHAY
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4472DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
auf Bestellung 4669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4472DY-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4472DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V
auf Bestellung 2482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4472DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4472DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
auf Bestellung 4669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4472DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4472DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V
auf Bestellung 3347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4472DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4472DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4473SISOP-8
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4473BDY
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4473DYVISHAY09+
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4473DY-E3
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4473DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4473DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4473DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -26.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -26.6A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -60A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.92 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
auf Bestellung 4391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
10+2.13 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.87 EUR
100+1.63 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 6200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4477DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4480SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4480DYVHSAYSOP 08+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4480DY-T1SILCONIX00+ QFP
auf Bestellung 9143 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4480DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4480DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4480DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4480DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4480EYVishay / SiliconixMOSFETs 80V 6A 2.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4480EYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4480EY-T1
auf Bestellung 46750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4480EY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4480EYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4482SISOP-8
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4482DY
Produktcode: 36624
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI4482DY-T1Vishay SiliconixТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4482DY-T1VISHAYSOP-8
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4482DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4482DY-T1-E3-E3VISHAY09+
auf Bestellung 14218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4482DY-T1SOP-8VISHAY
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4482DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.88 EUR
5000+0.81 EUR
7500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
auf Bestellung 29882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+1.62 EUR
100+1.44 EUR
500+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 23501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.05 EUR
109+2.13 EUR
117+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3
Produktcode: 185572
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4483ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.2 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 23501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
109+2.13 EUR
117+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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SI4483ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.82 EUR
102+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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SI4483ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.67 EUR
57+1.5 EUR
65+1.33 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SI4483ADY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC Транзистори
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SI4483ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
auf Bestellung 20424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SI4483ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4483DYVISHAY09+
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4483DY-T1-E3
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4483EDY
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4483EDY-T1-E3VISHAYSOP-8 0250+
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4483EDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4483EDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4483EDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4483EY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4484STSOP-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4484DYVISHAY09+
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4484DY-T1
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4484DY-T1-E3VISHAY2004
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4484EYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4484EY-E3Vishay SiliconixУСТАРЕВШ., ДОСТУПЕН SI4484EY-T1-E3 Транзистори
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SI4484EY-T1VISHAY0437+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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